2024年12月20日
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冯琛
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4
被引量:3
H指数:1
供职机构:
重庆光电技术研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
田坤
重庆光电技术研究所
张靖
重庆光电技术研究所
段利华
重庆光电技术研究所
王培界
重庆光电技术研究所
黄茂
重庆光电技术研究所
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张靖
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CMOS图像传感器 超辐射发光二极管 锁相环 大功率 偏振度
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研究领域
田坤
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:大功率 超辐射发光二极管 阵列 偏振度 INP
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段利华
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:损伤阈值 熔石英 激光损伤 超辐射发光二极管 激光损伤阈值
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周勇
供职机构:中国电子科技集团公司第44研究所
研究主题:超辐射发光二极管 芯片结构 波导 电隔离 MOCVD生长
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王培界
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:MOCVD AL组分 压应变 单量子阱 应变量子阱激光器
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刘刚明
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:激光器 大功率 大功率半导体激光器 波长稳定 功率转换效率
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瞿鹏飞
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:微波光子 微波光子学 微波光子移相器 SOI光波导 光链路
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廖柯
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:激光器 超辐射发光二极管 大功率 半导体激光器 输出功率
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黄茂
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:液相外延生长 液相外延 大功率 超辐射发光二极管 DFB激光器
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