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王玉田

作品数:3 被引量:1H指数:1
供职机构:国家光电子工艺中心更多>>
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地区

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13 条 记 录,以下是 1-10
朱洪亮
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:激光器 多量子阱 磷化铟 分布反馈激光器 半导体激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张济志
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:MQW 半导体 INGAASP/INP 掩膜 工艺过程
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王志杰
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:INGAASP/INP MQW DFB激光器 光放大器 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡雄伟
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:阵列波导光栅 波导 硅基二氧化硅 AWG SIO
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈博
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:INGAASP/INP 低阈值 LP-MOCVD MQW 半导体激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张静媛
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:DFB激光器 INGAASP/INP 分布反馈激光器 激光器 增益耦合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王小军
供职机构:厦门大学物理与机电工程学院物理学系
研究主题:应变量子阱 砷化镓 铟镓砷 INGAAS/GAAS XGA
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王圩
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:激光器 分布反馈激光器 电吸收调制器 硅基 单片集成
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
金才政
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:大功率 MOCVD 激光器 单量子阱激光器 MQW
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑联喜
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 MOCVD 立方相 MOCVD生长 立方相GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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