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张济志

作品数：6 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇半导体
  • 3篇MQW
  • 2篇掩膜
  • 2篇气相外延
  • 2篇外延层
  • 2篇刻蚀
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇工艺过程
  • 2篇INGAAS...
  • 1篇低阈值
  • 1篇多量子阱
  • 1篇多量子阱结构
  • 1篇信号
  • 1篇信号源
  • 1篇压应变
  • 1篇增益耦合
  • 1篇通信
  • 1篇铟镓砷
  • 1篇量子阱结构

机构

  • 6篇中国科学院
  • 1篇国家光电子工...

作者

  • 6篇朱洪亮
  • 6篇王圩
  • 6篇张济志
  • 4篇马朝华
  • 4篇周帆
  • 3篇王志杰
  • 2篇陈博
  • 2篇张静媛
  • 2篇汪孝杰
  • 2篇王志杰
  • 2篇李力
  • 2篇金才政
  • 1篇田慧良
  • 1篇王启明
  • 1篇王玉田

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇光子学报

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 3篇1997
  • 1篇1996
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
制作半导体台面侧向电流限制结构的技术
本发明涉及制作半导体台面侧向电流限制结构的技术，衬底在生长上目标器件要求的材料后被腐蚀或刻蚀成台面，采用气相外延生长含阻塞层的二次外延层，然后将对应于台面上方的部分阻塞层挖穿，再生长三次外延层。由于避免了现有技术中的带掩...
王圩王志杰张济志朱洪亮
文献传递
长波长分布反馈激光器
王圩张静媛朱洪亮张济志汪孝杰周帆田慧良李力马朝华
该项目属信息技术领域课题，是为开发国产长距离大容量光纤通信用动态单纵模信号源而设立的“八五”重点攻关和“863”重大攻关项目。1.55um微米分布反馈激光器的特点在于它既处在光纤的最低损耗(0.16dB/KM)波段又是利...
关键词：
关键词：光纤通信
制作半导体台面侧向电流限制结构的技术
本发明涉及制作半导体台面侧向电流限制结构的技术，衬底在生长上目标器件要求的材料后被腐蚀或刻蚀成台面，采用气相外延生长含阻塞层的二次外延层，然后将对应于台面上方的部分阻塞层挖穿，再生长三次外延层。由于避免了现有技术中的带掩...
王圩王志杰张济志朱洪亮
文献传递
LP-MOVPE生长的1.3μm InGaAsP/InP张压应变交替MQW特性被引量：1
1997年
本文在国内首次报道了LP－MOVPE法生长高质量的压、张应变交替InGaAsP多量子阶结构的研制过程及其材料的高精度X射线双晶摇摆衍射曲线和光致发光谱特性表征．在此材料基础之上制作的平面掩埋条形结构激光器经过双腔面镀增透射膜后，其TE模与TM模自发发射谱光强差为3dBm，呈现偏振补偿特性．
王志杰陈博王圩张济志朱洪亮周帆金才政马朝华王启明
关键词：半导体多量子阱结构
LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP压、张应变交替MQW激光器特性被引量：1
1997年
本文国内首次报道了LP－MOVPE法生长高质量的压、张应变交替InGaAsP多量子阱结构的研制过程及其材料的高精度X－ray双晶摇摆衍射曲线和荧光光谱特性表征．在此材料基础之上制作的宽接触激光器阈值电流密度小于300A／cm2（腔长800μm），平面掩埋条形结构激光器平面掩埋异质结（PBH）条形结构多量子阱激光器阈值电流13～15mA.经过双腔面镀增透射膜后，其TE模与TM模自发发射谱光强差为3dBm，呈现偏振补偿特性．
王志杰陈博王圩张济志朱洪亮周帆王玉田金才政马朝华
关键词：低阈值激光器MOCVD铟镓砷MQW
1．27μm吸收型部分增益耦合MQW－DFB激光器被引量：1
1996年
采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ和ＬＰＥ相结合，成功地研制出了吸收型部分增益耦合ＭＱＷ－ＤＦＢ激光器．扫描显微镜照片显示了清晰的被掩埋的吸收型增益耦合光栅，表明光栅掩埋生长前升温过程磷烷的保护是成功的．宽接触（ｂｒｏａｄａｒｅａ）脉冲电流大范围单纵模工作，条型器件室温连续直流工作阈电流为２２ｍＡ至３５ｍＡ，单模成品率高，边模抑制比（ＳＭＳＲ）超过３７ｄＢ，没有观察到饱和吸收现象．
张济志王圩张静媛汪孝杰李力朱洪亮王志杰周帆马朝华
关键词：DFB激光器增益耦合激光器
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