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王志杰

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇半导体
  • 2篇掩膜
  • 2篇气相外延
  • 2篇外延层
  • 2篇刻蚀
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇工艺过程
  • 1篇应变量子阱
  • 1篇增益耦合
  • 1篇光放大
  • 1篇光放大器
  • 1篇反馈激光器
  • 1篇放大器
  • 1篇分布反馈激光...
  • 1篇半导体激光
  • 1篇半导体激光器
  • 1篇DFB激光器
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇MQW

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇王志杰
  • 3篇朱洪亮
  • 3篇王圩
  • 3篇张济志
  • 1篇张静媛
  • 1篇汪孝杰
  • 1篇马朝华
  • 1篇李力
  • 1篇周帆

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1999
  • 2篇1997
  • 1篇1996
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
金属有机气相外延InGaAsP/InP应变量子阱分布反馈激光器与光放大器集成的研究
王志杰
关键词：半导体激光器应变量子阱分布反馈激光器
制作半导体台面侧向电流限制结构的技术
本发明涉及制作半导体台面侧向电流限制结构的技术，衬底在生长上目标器件要求的材料后被腐蚀或刻蚀成台面，采用气相外延生长含阻塞层的二次外延层，然后将对应于台面上方的部分阻塞层挖穿，再生长三次外延层。由于避免了现有技术中的带掩...
王圩王志杰张济志朱洪亮
文献传递
1．27μm吸收型部分增益耦合MQW－DFB激光器被引量：1
1996年
采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ和ＬＰＥ相结合，成功地研制出了吸收型部分增益耦合ＭＱＷ－ＤＦＢ激光器．扫描显微镜照片显示了清晰的被掩埋的吸收型增益耦合光栅，表明光栅掩埋生长前升温过程磷烷的保护是成功的．宽接触（ｂｒｏａｄａｒｅａ）脉冲电流大范围单纵模工作，条型器件室温连续直流工作阈电流为２２ｍＡ至３５ｍＡ，单模成品率高，边模抑制比（ＳＭＳＲ）超过３７ｄＢ，没有观察到饱和吸收现象．
张济志王圩张静媛汪孝杰李力朱洪亮王志杰周帆马朝华
关键词：DFB激光器增益耦合激光器
制作半导体台面侧向电流限制结构的技术
本发明涉及制作半导体台面侧向电流限制结构的技术，衬底在生长上目标器件要求的材料后被腐蚀或刻蚀成台面，采用气相外延生长含阻塞层的二次外延层，然后将对应于台面上方的部分阻塞层挖穿，再生长三次外延层。由于避免了现有技术中的带掩...
王圩王志杰张济志朱洪亮
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