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金才政

作品数：11 被引量：30H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇会议论文
  • 5篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 4篇光纤
  • 3篇半导体
  • 2篇单量子阱
  • 2篇单量子阱激光...
  • 2篇量子阱激光器
  • 2篇功率
  • 2篇光纤光栅
  • 2篇光纤耦合
  • 2篇光栅
  • 2篇INGAAS...
  • 2篇MOCVD
  • 2篇MQW
  • 2篇大功率
  • 1篇低阈值
  • 1篇电路
  • 1篇电子束
  • 1篇电子束加工
  • 1篇调谐

机构

  • 8篇中国科学院
  • 5篇国家光电子工...
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 11篇金才政
  • 3篇马朝华
  • 3篇韩勤
  • 3篇周帆
  • 2篇胡雄伟
  • 2篇陈博
  • 2篇朱洪亮
  • 2篇王志杰
  • 2篇王圩
  • 2篇潘昆
  • 2篇陈少武
  • 2篇张济志
  • 2篇胡传贤
  • 1篇梁基本
  • 1篇龚谦
  • 1篇曾一平
  • 1篇刘冬琴
  • 1篇朱东海
  • 1篇肖智博
  • 1篇张隽

传媒

  • 4篇Journa...
  • 1篇光子学报
  • 1篇第七届全国固...
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇全国第8次光...
  • 1篇第九届全国电...
  • 1篇第九届全国化...
  • 1篇中国集成电路...

年份

  • 2篇2001
  • 1篇2000
  • 5篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1990
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
紫外直接写入光纤光栅的制作及其温度和应力特性的研究
任泽英金才政
关键词：金属腐蚀铬表面改性
红外显微镜在IC测试方面的应用
潘昆金才政
关键词：集成电路故障检测红外显微镜
MOCVD生长大功率单量子阱激光器被引量：3
1996年
本文介绍了ＭＯＣＶＤ生长的高质量ＧａＡｓ和ＡｌＡｓ材料以及（Ａｌ）ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ分别限制单量于阱激光器．ＧａＡｓ材料的７７Ｋ迁移率为１２２，７００ｃｍ２／（Ｖ·ｓ），ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ具有均匀陡变的界面．激光器的最大光输出功率为４Ｗ，平均光功率密度达４ＭＷ／ｃｍ２，斜率效率为１．２Ｗ／Ａ，在１Ｗ恒功老化４０００小时电流增加小于１０％，预计寿命可超过两万小时．
郑联喜肖智博韩勤金才政周帆马朝华胡雄伟
关键词：单量子阱激光器激光器MOCVD
LP-MOVPE生长的1.3μm InGaAsP/InP张压应变交替MQW特性被引量：1
1997年
本文在国内首次报道了LP－MOVPE法生长高质量的压、张应变交替InGaAsP多量子阶结构的研制过程及其材料的高精度X射线双晶摇摆衍射曲线和光致发光谱特性表征．在此材料基础之上制作的平面掩埋条形结构激光器经过双腔面镀增透射膜后，其TE模与TM模自发发射谱光强差为3dBm，呈现偏振补偿特性．
王志杰陈博王圩张济志朱洪亮周帆金才政马朝华王启明
关键词：半导体多量子阱结构
电子束直接光刻技术在HEMT器件中的应用研究
了直接光刻技术的技术要点及其在ＨＥＭＴ器件研制中的应用，采用这种技术与剥离工艺结合可产生０．１￣０．３μｍ微细金属栅电极，研制成功的ＨＥＭＴ器件跨导达３８０ｍｓ／ｍｍ，截止频率超过５０ＧＨｚ。
葛璜金才政
关键词：半导体器件电子束加工光刻技术
高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性被引量：1
1997年
本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性．激光器的室温连续输出功率达到2W．在95℃高温连续工作状态下，其输出功率仍可达到500mW的水平．器件的特征温度高达185K（35～85℃）及163K（85～95℃）．同室温相比，器件在95℃的工作条件下，其功率输出的斜效率下降了23％．
朱东海王占国梁基本徐波朱战萍张隽龚谦金才政丛立方胡雄伟韩勤方祖捷刘斌屠玉珍
关键词：单量子阱激光器
光纤光栅的制作及其温度特性的研究
任泽英金才政
关键词：光纤光栅调谐技术
激光束整形变换微光学系统实用化设计
本文针对808nm大功率GaAs/GaAlAs半导体量子阱激光器的远场光场分布特点,提出了和多模光纤耦合激光束整形变换微光学系统的特殊要求,并根据低成本、实用化的要求设计制作了专用的激光束整形变换微光学系统,对微光学系统...
陈少武韩勤胡传贤金才政刘冬琴
关键词：光纤耦合
文献传递
LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP压、张应变交替MQW激光器特性被引量：1
1997年
本文国内首次报道了LP－MOVPE法生长高质量的压、张应变交替InGaAsP多量子阱结构的研制过程及其材料的高精度X－ray双晶摇摆衍射曲线和荧光光谱特性表征．在此材料基础之上制作的宽接触激光器阈值电流密度小于300A／cm2（腔长800μm），平面掩埋条形结构激光器平面掩埋异质结（PBH）条形结构多量子阱激光器阈值电流13～15mA.经过双腔面镀增透射膜后，其TE模与TM模自发发射谱光强差为3dBm，呈现偏振补偿特性．
王志杰陈博王圩张济志朱洪亮周帆王玉田金才政马朝华
关键词：低阈值激光器MOCVD铟镓砷MQW
大功率半导体激光器光纤耦合模块的耦合光学系统被引量：24
2001年
针对 8 0 8nm大功率 Ga As/ Ga Al As半导体量子阱激光器的远场光场分布特点 ,提出了与多模光纤耦合时对耦合光学系统的特殊要求 ,并根据低成本、实用化的要求设计制作了专用的耦合光学系统 ,对耦合光学系统的实际性能进行了测试 ,给出了耦合效率统计分布图、耦合偏差曲线和高低温可靠性实验结果 .用设计制作出的实用化耦合光学系统完成了输出功率 15— 30 W,光纤束数值孔径为 0 .11— 0 .2 2的半导体激光光纤耦合模块 ,模块的使用结果表明耦合光学系统稳定、高效。
陈少武韩勤胡传贤金才政
关键词：半导体激光器光学系统可靠性光纤耦合模块
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