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韩勤

作品数:125 被引量:175H指数:6
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程文化科学更多>>

文献类型

  • 62篇专利
  • 49篇期刊文章
  • 11篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 69篇电子电信
  • 6篇理学
  • 3篇机械工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 34篇探测器
  • 26篇光电
  • 21篇激光
  • 21篇激光器
  • 19篇光电探测
  • 19篇光电探测器
  • 19篇波导
  • 16篇量子点
  • 15篇雪崩
  • 14篇量子
  • 14篇衬底
  • 12篇分子束
  • 12篇分子束外延
  • 11篇电极
  • 11篇GAAS
  • 10篇雪崩光电探测...
  • 10篇砷化镓
  • 10篇谐振腔
  • 8篇量子点激光器
  • 8篇光子

机构

  • 125篇中国科学院
  • 5篇中国科学院大...
  • 2篇北京邮电大学
  • 1篇北方交通大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇西北工业大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 125篇韩勤
  • 64篇杨晓红
  • 28篇吴荣汉
  • 27篇牛智川
  • 22篇倪海桥
  • 19篇王帅
  • 17篇尹伟红
  • 15篇杜云
  • 15篇李彬
  • 13篇彭红玲
  • 13篇吕倩倩
  • 12篇王秀平
  • 11篇徐应强
  • 9篇朱彬
  • 9篇王杰
  • 8篇王占国
  • 8篇赵欢
  • 8篇刘少卿
  • 7篇梁基本
  • 7篇鞠研玲

传媒

  • 16篇Journa...
  • 8篇物理学报
  • 7篇半导体光电
  • 4篇光子学报
  • 2篇激光与光电子...
  • 2篇第十三届全国...
  • 2篇第五届全国光...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇电信科学
  • 1篇光学学报
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇材料导报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇激光与红外
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇光通信技术
  • 1篇第六届全国分...

年份

  • 3篇2023
  • 5篇2022
  • 5篇2021
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 4篇2017
  • 4篇2016
  • 8篇2015
  • 5篇2014
  • 7篇2013
  • 11篇2012
  • 3篇2011
  • 7篇2010
  • 4篇2009
  • 1篇2008
  • 7篇2007
  • 6篇2006
  • 14篇2005
  • 6篇2004
125 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器
本发明公开了一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器(APD),该雪崩光电探测器包括:衬底;形成于衬底之上的单模传输光波导,用于实现匹配光斑在其中低损耗单模传输,并使光渐渐向上消逝场耦合进入光匹配层;形成于单模传输光波导之上的...
崔荣杨晓红李彬尹伟红吕倩倩韩勤
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一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝制作空气隙结构的方法
一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝牺牲层制作空气隙结构的方法,包括如下步骤:a>用分子束外延技术在(001)砷化镓衬底上生长带有砷化铝牺牲层的结构,砷化铝牺牲层上是由砷化镓和砷化铝镓构成的分布布拉格反射镜;b>在晶...
李文兵韩勤秦龙杨晓红倪海乔杜云朱彬鞠研玲
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正入射盖革模式雪崩探测器焦平面阵列及其制备方法
本公开提供了一种正入射盖革模式雪崩探测器焦平面阵列及其制备方法,其中正入射盖革模式雪崩探测器焦平面阵列自下而上顺次包括:第二电极、衬底、缓冲层、吸收层、渐变层、电荷层、帽层和保护层;所述保护层上设置有多个电极窗口,每个所...
王帅韩勤叶焓陆子晴肖锋肖帆
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在特殊高低温条件下对光电器件进行测试的装置及方法
本发明公开了一种在特殊高低温条件下对光电器件进行测试的装置及方法。该方法是将标准器件与被测器件置于可精确控制温度的具有光窗口的真空杜瓦内,光信号可以通过光窗口出入杜瓦,被测器件与标准器件进行对比即可得到被测器件光电参数。...
杨晓红韩勤提刘旺
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基于选区外延技术的单片集成阵列波导光栅与单载流子探测器的端对接设计
2017年
选区外延技术是实现有源与无源光器件单片集成的一种有效的工艺手段,但同时对两种器件在异质生长界面处的对接结构提出了更高的设计要求.本文通过选区外延技术实现了InP基O波段4通道阵列波导光栅与单载流子探测器的单片集成.通过光学仿真重点研究了选区外延后界面处形貌对无源波导结构与有源光探测器间光耦合效率的影响,包括伸长的光学匹配层、二次外延生长边界位置、波导刻蚀边界位置等因素.研究结果表明,在保证二次外延生长边界对准异质对接界面时,将光学匹配层伸出探测器前端10μm并与外延边界无缝对接既可以保证高效的光传输效率(或探测器量子效率),又可以避免外延界面处的异常生长对器件制备工艺的影响,保证生长工艺与器件制备工艺的兼容性.成功制备的单片集成芯片具有高达76%的探测器量子效率,证明了对接方案的有效性.同时,集成芯片的低串扰(<-22 dB)与解复用特性展示出其作为解复用光接收芯片具有巨大潜力.
叶焓韩勤吕倩倩潘盼安俊明王玉冰刘荣瑞侯丽丽
关键词:单片集成阵列波导光栅
一种谐振腔增强型石墨烯电吸收调制器
本发明公开了一种谐振腔增强型石墨烯电吸收调制器,该电吸收调制器制作在衬底上,包括:形成于衬底上的下反射镜;形成于下反射镜上的介质缓冲层;形成于介质缓冲层上的单层石墨烯薄膜;形成于单层石墨烯薄膜上的DBR结构的上反射镜;以...
尹伟红韩勤杨晓红
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偏振无关的双脊型铟磷基光学混频器及其制备方法
一种偏振无关的双脊型铟磷基光学混频器及其制备方法,该光学混频器包括外延片器件层,形成于一磷化铟衬底之上;其中:所述外延片器件层包括多模干涉区,用于实现偏振无关;所述多模干涉区为双脊型波导,用于抑制多模干涉区中更多高阶模式...
陆子晴韩勤叶焓王帅肖峰
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MOCVD生长大功率单量子阱激光器被引量:3
1996年
本文介绍了MOCVD生长的高质量GaAs和AlAs材料以及(Al)GaAs/AlGaAs分别限制单量于阱激光器.GaAs材料的77K迁移率为122,700cm2/(V·s),GaAs/AlAs具有均匀陡变的界面.激光器的最大光输出功率为4W,平均光功率密度达4MW/cm2,斜率效率为1.2W/A,在1W恒功老化4000小时电流增加小于10%,预计寿命可超过两万小时.
郑联喜肖智博韩勤金才政周帆马朝华胡雄伟
关键词:单量子阱激光器激光器MOCVD
一种雪崩光电探测器及其高频特性提高方法
本发明公开了一种雪崩光电探测器,其用于探测目标探测光,并包括纵向依次排列的吸收层(3)、第一电荷层(41)、倍增层(5)、第二电荷层(42)和渡越层(6),其中第一电荷层(41)为N型掺杂,第二电荷层(42)为P型掺杂。...
李彬韩勤杨晓红
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在电子束曝光前对涂有光刻胶的晶片进行聚焦调节的方法
本发明公开了在电子束曝光前对涂有光刻胶的晶片进行聚焦调节的方法,包括:在开启电子束曝光设备以后,选择加速电压为10kV,电子束束闸大小为30μm,在涂有电子束光刻胶的晶片表面寻找颗粒聚焦,在低放大倍数下对电子束在表面的聚...
王秀平杨晓红韩勤
文献传递
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