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沈川

作品数：19 被引量：22H指数：3
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
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地区

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陈路
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：碲镉汞 分子束外延 HGCDTE CDTE 红外焦平面
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何力
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：碲镉汞 分子束外延 HGCDTE 红外焦平面探测器 红外焦平面
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王伟强
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：分子束外延 碲镉汞 HGCDTE SI基 红外焦平面
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
傅祥良
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：分子束外延 碲镉汞 HGCDTE SI基 红外焦平面
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
顾仁杰
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：碲镉汞 分子束外延 HGCDTE 位错 热退火
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王高
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：分子束外延 碲镉汞 红外焦平面 热退火 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨凤
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：分子束外延 红外焦平面 碲镉汞 衬底 长波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张彬
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：分子束外延 红外焦平面 碲镉汞 衬底 长波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁瑞军
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：碲镉汞 红外焦平面 读出电路 红外焦平面探测器 红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林春
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：碲镉汞 红外焦平面探测器 芯片 HGCDTE 碲镉汞探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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