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傅祥良

作品数：21 被引量：22H指数：3
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 8篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 15篇电子电信
  • 4篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 18篇分子束
  • 18篇分子束外延
  • 13篇红外
  • 11篇碲镉汞
  • 9篇焦平面
  • 9篇红外焦平面
  • 8篇HGCDTE
  • 6篇探测器
  • 5篇SI基
  • 3篇红外探测
  • 3篇红外探测器
  • 3篇分子束外延生...
  • 2篇少子寿命
  • 2篇位错
  • 2篇焦平面探测器
  • 2篇红外焦平面探...
  • 2篇HGCDTE...
  • 2篇HGCDTE...
  • 2篇MBE
  • 2篇衬底

机构

  • 21篇中国科学院
  • 3篇中国科学院研...
  • 2篇中国科学院大...

作者

  • 21篇傅祥良
  • 17篇何力
  • 17篇陈路
  • 15篇王伟强
  • 8篇沈川
  • 7篇吴俊
  • 7篇巫艳
  • 7篇魏青竹
  • 6篇于梅芳
  • 5篇丁瑞军
  • 4篇乔怡敏
  • 4篇叶振华
  • 4篇王元樟
  • 3篇胡晓宁
  • 3篇顾仁杰
  • 3篇杨凤
  • 3篇张彬
  • 3篇王高
  • 2篇陈建新
  • 2篇林春

传媒

  • 4篇红外与毫米波...
  • 4篇激光与红外
  • 3篇第十届全国分...
  • 2篇第二届全国先...
  • 2篇第十一届全国...
  • 1篇红外
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇中国科学：物...
  • 1篇第三届全国先...

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2008
  • 4篇2007
  • 4篇2006
  • 1篇2005
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
分子束外延HgCdTe nBn结构红外探测器的理论计算和优化被引量：1
2016年
通过2维数值模拟对HgCdTe nBn红外探测器的光电性质进行了研究.理论计算了nBn结构中各层的参数的变化(包含厚度的变化、掺杂浓度的变化以及组分)对器件性能的影响规律.通过优化上述器件结构参数,理论上获得了最优化结构的HgCdTe nBn器件,为获得高性能MBE外延HgCdTe nBn红外探测器提供重要参考.
沈川陈路傅祥良王伟强卜顺栋何力
关键词：分子束外延HGCDTE数值模拟
分子束外延生长的HgCdTe NBN结构的理论计算和优化研究
众所周知,由于HgCdTe材料具有高吸收系数、高量子效率、波段可调等优点,已成为制作红外光电探测器以及新一代红外焦平面器件发展的优选材料.然而,常规结构的HgCdTe材料都面临着P型掺杂的问题.不管是Hg空位掺杂还是As...
沈川陈路傅祥良王伟强何力
分子束外延生长HgCdTe/CdZnTe
本文描述了实验室分子束外延生长HgCdTe/CdZnTe的最新研究结果.借助RHEED原位监测工具,对比分析了不同装片工艺条件下(装片工艺过程是否在保护气体氛围中进行)CdZnTe衬底脱氧及后续外延生长CdTe的情况,发...
王伟强傅祥良沈川王莹张彬王高杨凤陈路何力
关键词：微电子学分子束外延
文献传递
束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷
本文研究了利用GaAs作为衬底的HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷,发现其中一类缺陷与Hg源中杂质有关。采用SEM对这类缺陷进行正面和横截面的观察,并采用EDX对其正面和横截面进行成分分析，设计了两个实验:其一,在CdT...
傅祥良王伟强于梅芳乔怡敏魏青竹吴俊陈路巫艳何力
关键词：红外材料
文献传递
Si基HgCdTe材料的电学特性研究被引量：2
2007年
文章研究了Si基分子束外延HgCdTe原生材料、P型退火材料和N型退火材料的霍耳参数、少子寿命等材料电学特性。研究发现,晶格失配导致Si基HgCdTe材料原生材料和N型退火材料迁移率低;Si基原生HgCdTe材料属于高补偿材料,但高补偿性并非材料的固有特性,通过P型退火可使材料变为低补偿材料,迁移率得到提高。采用分子束外延方法制备的3 in Si基HgCdTe材料电学性能与GaAs基HgCdTe材料相比,性能还有待提高。改进分子束外延生长工艺提高HgCdTe质量,从而进一步提高迁移率,是Si基外延研究的关键。
魏青竹吴俊巫艳陈路于梅芳王伟强傅祥良何力
关键词：SI基HGCDTE电学参数少子寿命分子束外延
e-APD HgCdTe分子束外延材料研究
第三代碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面阵列技术正向大规模、集成化、多光谱、弱信号及三维成像方向发展.HgCdTe因其具有高吸收系数、空穴和电子的离化系数差异很大等特性，是制备高信噪比的雪崩器件(APD)的优选材料，可以实...
陈路顾仁杰胡伟达王伟强沈川傅祥良林春丁瑞军何力
关键词：红外焦平面碲镉汞分子束外延
HgCdTe分子束外延材料研究进展及其应用
阐述了针对第三代红外焦平面的应用需求所进行的碲镉汞分子束外延研究进展.面向大规模HgCdTe红外焦平面探测器的应用,开展了大面积替代衬底上的分子束外延技术研究,报道了在大面积替代衬底上的碲镉汞分子束外延材料的晶体质量、表...
陈路何力傅祥良顾仁杰王伟强沈川胡晓宁叶振华林春丁瑞军
关键词：红外焦平面探测器碲镉汞材料分子束外延
文献传递
Si基CdTe/HgCdTe分子束外延材料的位错抑制被引量：4
2011年
基于GaAs/Si材料中位错的运动反应理论,修正获得CdTe/Si和HgCdTe/Si外延材料中的位错运动反应模型.采用快速退火方法对Si基HgCdTe外延材料进行位错抑制实验研究,实验结果与理论曲线基本吻合,从理论角度解释了不同高温热处理条件对材料体内位错的抑制作用.对于厚度为4～10μm的CdTe/Si进行500℃快速退火1 min,可使位错密度降低0.5～1个数量级,最好结果为2.5×105cm-2.
沈川顾仁杰傅祥良王伟强郭余英陈路
关键词：碲镉汞热退火位错分子束外延
MBE生长碲镉汞的砷掺入与激活被引量：1
2017年
采用As掺杂和激活技术制备的p+-on-n异质结材料是获得高性能长波碲镉汞红外焦平面器件的关键技术之一,得到了广泛关注.采用变温IV拟合的方法,对不同As掺入浓度与器件结性能相关性进行了分析,发现降低结区内As掺杂浓度可以有效抑制器件的陷阱辅助隧穿电流.拟合结果表明,较高浓度的Nt很可能与高浓度As掺入相关.因此As的稳定均匀掺入和激活被认为是主要技术挑战.实验研究了分子束外延过程中Hg/Te束流比与As掺入效率的关系,发现相对富Hg的外延条件有助于提高As掺杂效率.研究还发现As的晶圆内掺杂均匀性与Hg/Te束流比的均匀性密切相关.对As的激活退火进行了研究,发现在饱和Hg蒸汽压中采用300℃/16h+420℃/1 h+240℃/48 h的退火条件能明显提升碲镉汞中As原子的激活率.
赵真典陈路傅祥良王伟强沈川张彬卜顺栋王高杨凤何力
关键词：红外焦平面碲镉汞分子束外延
分子束外延HgCdTe位错及表面缺陷抑制方法
大规模红外焦平面器件的制备需要低成本、高质量、大面积且均匀性良好的Hg1-xCdxTe材料。使川替代型衬底的HgCdTe分子束外延技术能很好的满足大面积和低成本要求，并已成为制备大规模器件的主流技术。由于替代衬底和HgC...
傅祥良
关键词：分子束外延HGCDTE材料红外焦平面器件
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