您的位置: 专家智库 > >

霍玉柱

作品数:35 被引量:25H指数:5
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金:国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>

领域

  • 27个电子电信
  • 11个自动化与计算...
  • 8个化学工程
  • 8个金属学及工艺
  • 8个一般工业技术
  • 7个理学
  • 5个机械工程
  • 3个文化科学
  • 2个经济管理
  • 2个电气工程
  • 2个农业科学
  • 1个天文地球
  • 1个动力工程及工...
  • 1个轻工技术与工...
  • 1个交通运输工程
  • 1个环境科学与工...
  • 1个核科学技术
  • 1个军事

主题

  • 22个碳化硅
  • 20个半导体
  • 19个晶体管
  • 17个电路
  • 17个增益
  • 16个欧姆接触
  • 13个单片
  • 13个氮化
  • 12个电阻
  • 11个氮化镓
  • 11个淀积
  • 11个钝化
  • 11个迁移率
  • 10个单片集成
  • 10个电子迁移率
  • 10个整流
  • 10个整流二极管
  • 9个单片集成电路
  • 9个电容
  • 8个电子器件

机构

  • 20个中国电子科技...
  • 15个河北半导体研...
  • 15个专用集成电路...
  • 3个中国电子科技...
  • 2个河北工业大学
  • 2个电子工业部
  • 2个中国电子科技...
  • 1个天津大学
  • 1个中国电子科技...
  • 1个中国电子科技...
  • 1个中国电子科技...
  • 1个信息产业部
  • 1个中国电子技术...
  • 1个中华人民共和...
  • 1个中国电子科技...

资助

  • 15个国家自然科学...
  • 14个国家重点基础...
  • 11个国防科技重点...
  • 10个国家重点实验...
  • 6个天津市自然科...
  • 6个河北省自然科...
  • 5个中国博士后科...
  • 3个上海市浦江人...
  • 2个超高速专用集...
  • 2个国家电网公司...
  • 2个国家基础科研...
  • 1个国防基础科研...
  • 1个国家高技术研...
  • 1个吉林省科技发...
  • 1个教育部科学技...
  • 1个山东省自然科...
  • 1个浙江省自然科...
  • 1个广西壮族自治...
  • 1个国家科技重大...
  • 1个西安市科技计...

传媒

  • 20个半导体技术
  • 18个微纳电子技术
  • 11个Journa...
  • 8个固体电子学研...
  • 8个2011’全...
  • 7个第十五届全国...
  • 6个微波学报
  • 6个2010年全...
  • 6个2013‘全...
  • 6个2010(第...
  • 6个2010’全...
  • 5个物理学报
  • 4个红外与毫米波...
  • 4个2010’全...
  • 4个第三届中国国...
  • 4个2014`全...
  • 3个红外与激光工...
  • 3个半导体情报
  • 3个中国标准化
  • 3个电子器件

地区

  • 24个河北省
  • 1个江苏省
  • 1个天津市
27 条 记 录,以下是 1-10
潘宏菽
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:碳化硅 SIC_MESFET 微波 SIC S波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
商庆杰
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:谐振器 腔体 衬底 压电层 滤波器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈昊
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:碳化硅 SIC_MESFET 4H-SIC SIC S波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
齐国虎
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:碳化硅 高温退火 金属 淀积 功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨霏
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:碳化硅 SIC_MESFET SIC 金属-半导体场效应晶体管 功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周瑞
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:功率器件 击穿电压 肖特基势垒 ALGAAS/GAAS 量子阱红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李亮
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:谐振器 滤波器 滤波器技术 腔体 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李亚丽
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:SIC 碳化硅 击穿电压 电流峰谷比 RTT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
默江辉
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:SIC_MESFET 微波器件 夹具 大功率 内匹配
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯震
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:X波段 输出功率 SIC_MESFET HFET ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共3页<123>
聚类工具0