商庆杰
- 作品数：80 被引量：28H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺一般工业技术机械工程更多>>
- 等平面化SiC MESFET的研制被引量：2
- 2008年
- 在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨导提高1.5mS/mm。2GHz下测试,微波功率附加效率提高10%左右,增益平均提高了2dB,在VDS=60V的条件下单管功率输出达到了86.5W。经过内匹配和功率合成研制成大功率的SiC脉冲功率管的综合性能较好,在250W的输出功率下,器件仍然保持高达10.5dB的高增益,功率附加效率30%。台阶仪和扫描电镜观测表明,台阶高度已经大大降低,侧壁得到了钝化,尖锐突起和凹坑都已经变得平缓。
- 杨霏陈昊潘宏菽默江辉商庆杰李亮闫锐冯震杨克武蔡树军姚素英
- 关键词：高增益功率附加效率大功率
- 体声波谐振器和半导体器件
- 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种体声波谐振器和半导体器件。该体声波谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、掺杂压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，...
- 李亮吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东商庆杰钱丽勋李丽
- 文献传递
- 一种碳化硅器件制备的平坦化及侧壁钝化工艺
- 本发明公开了一种碳化硅器件制备的平坦化及侧壁钝化工艺，即在碳化硅器件制备过程中减小器件表面台阶高度，平滑器件表面的尖角、凹槽，并且使侧壁钝化的工艺，该工艺通过采用在碳化硅器件表面和侧面普遍生长介质材料薄膜的方法使侧壁钝化...
- 潘宏菽杨霏商庆杰陈昊冯震彭明明秘瑕李亮闫锐蔡树军杨克武
- 文献传递
- 低压化学气相淀积低应力氮化硅工艺研究被引量：3
- 2021年
- 微机械加工(Micro-Electro Mechanical System,MEMS)工艺中常需要应用到低应力氮化硅作为结构层或钝化层材料,以降低圆片的翘曲。通过采用低压化学气相淀积工艺(Low Pressure Chemical-Vapor Deposition,LPCVD),优化工艺中反应气体流量比,可以得到应力低于200 MPa的氮化硅薄膜。针对工艺中存在的片间应力以及薄膜厚度均匀性差的问题,采用二次离子质谱测试(Secondary Ion Mass Spectroscopy,SIMS)的方式,分析出反应气体的消耗造成的反应气体比例变化是引起该问题的主要因素。通过优化工艺参数,得到了片间应力在100~150 MPa之间、厚度均匀性5%以内的低应力氮化硅薄膜,可实现50片/炉的工艺能力,可批量应用于MEMS工艺中。
- 王敬轩商庆杰杨志
- 关键词：微机械加工低压化学气相淀积均匀性
- 掩埋异质结激光器的Mesa制备工艺
- 2023年
- 掩埋异质结结构的半导体激光器具有阈值低、光束质量好的优点。台面(Mesa)制作是掩埋结激光器加工过程中的一步关键工艺,采用传统的全湿法腐蚀工艺制作台面,3英寸圆片内腐蚀深度和器件输出功率水平差异较大。而采用干法刻蚀加湿法腐蚀工艺技术,制备出的台面表面光滑、侧壁连续,腐蚀深度差异为6%,最终器件输出功率水平的差异仅为2%。利用该掩埋结技术制备的1 550 nm大功率激光器均匀性有了较大提升,900μm腔长单管的阈值电流约12 mA,300 mA工作电流时功率输出100 mW。
- 张奇武艳青刘浩商庆杰宋洁晶
- 关键词：MESA干法刻蚀均匀性
- 一种MOM电容及其制作方法
- 本发明公开了一种MOM电容及其制作方法，属于电容的结构及其制作方法技术领域。主要包括以下几个步骤：一、氧化硅片；二、形成正面金属电极；三、在正面金属电极上粘贴蓝宝石基片；四、对硅片的背面进行光刻处理；五、腐蚀光刻掩膜以外...
- 商庆杰潘宏菽张力江付兴昌
- 声学谐振器封装结构
- 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声学谐振器封装结构。该谐振器包括基板；声学谐振器，设置在所述基板上，所述声学谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体；盖帽，所述盖帽与...
- 李亮商庆杰梁东升赵洋王利芹丁现朋刘青林冯利东张丹青崔玉兴张力江刘相伍杨志李宏军钱丽旭李丽卜爱民王强蔡树军付兴昌
- 文献传递
- 薄膜体声谐振器和半导体器件
- 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种薄膜体声谐振器和半导体器件。该薄膜体声谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层、上电极层和多个横向特征，所述多个横向特征包括多个台阶结构...
- 李亮吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东商庆杰钱丽勋李丽
- 实施统计过程控制(SPC)中常见问题的探讨被引量：1
- 2016年
- 随着半导体加工技术自动化、集成化、高密度化的不断发展,人们对工艺质量控制要求也不断提高。加之GB/T19001-2008质量管理体系建设的要求,工艺加工过程中的统计过程控制(SPC)应用在化合物半导体芯片工艺加工生产线逐渐开展起来。有些对工艺加工的稳定性和持续改进与提高起到了良好的促进作用;但有些应用未起到真正控制工艺的作用;有些把控制图的规范限与控制限混为一谈,或用规范限代替控制限;有些对数据采集与利用率上还有提高的余地。本文对化合物半导体芯片工艺加工生产线实施统计过程控制中遇到的部分问题进行汇总与分析,以提高实施统计过程控制(SPC)工作的效率。
- 商庆杰潘宏菽张力江刘相伍
- 关键词：统计过程
- 硅基三维电容及其制作方法
- 本发明提供一种硅基三维电容及其制作方法，其中制作方法包括在一硅衬底的表面制备一层介质掩膜层，并在介质掩膜层上刻蚀多个间隔排列的刻蚀微孔直至露出硅衬底；采用深硅刻蚀工艺，对多个间隔排列的刻蚀微孔进行刻蚀，以形成多个间隔排列...
- 杨志董春晖崔玉兴王敬轩韩孟序王川宝王帅王敏康建波解涛杨双龙王利芹商庆杰李亮张丹青丁现朋李庆伟张发智刘青林刘冠廷冯立东于峰涛宋红伟任永晓王国清杜少博
