商庆杰
- 作品数：83 被引量：30H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术机械工程金属学及工艺更多>>
- 等平面化SiC MESFET的研制被引量：2
- 2008年
- 在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨导提高1.5mS/mm。2GHz下测试,微波功率附加效率提高10%左右,增益平均提高了2dB,在VDS=60V的条件下单管功率输出达到了86.5W。经过内匹配和功率合成研制成大功率的SiC脉冲功率管的综合性能较好,在250W的输出功率下,器件仍然保持高达10.5dB的高增益,功率附加效率30%。台阶仪和扫描电镜观测表明,台阶高度已经大大降低,侧壁得到了钝化,尖锐突起和凹坑都已经变得平缓。
- 杨霏陈昊潘宏菽默江辉商庆杰李亮闫锐冯震杨克武蔡树军姚素英
- 关键词：高增益功率附加效率大功率
- 体声波谐振器和半导体器件
- 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种体声波谐振器和半导体器件。该体声波谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、掺杂压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，...
- 李亮吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东商庆杰钱丽勋李丽
- 文献传递
- 一种碳化硅器件制备的平坦化及侧壁钝化工艺
- 本发明公开了一种碳化硅器件制备的平坦化及侧壁钝化工艺，即在碳化硅器件制备过程中减小器件表面台阶高度，平滑器件表面的尖角、凹槽，并且使侧壁钝化的工艺，该工艺通过采用在碳化硅器件表面和侧面普遍生长介质材料薄膜的方法使侧壁钝化...
- 潘宏菽杨霏商庆杰陈昊冯震彭明明秘瑕李亮闫锐蔡树军杨克武
- 文献传递
- 低压化学气相淀积低应力氮化硅工艺研究被引量：4
- 2021年
- 微机械加工(Micro-Electro Mechanical System,MEMS)工艺中常需要应用到低应力氮化硅作为结构层或钝化层材料,以降低圆片的翘曲。通过采用低压化学气相淀积工艺(Low Pressure Chemical-Vapor Deposition,LPCVD),优化工艺中反应气体流量比,可以得到应力低于200 MPa的氮化硅薄膜。针对工艺中存在的片间应力以及薄膜厚度均匀性差的问题,采用二次离子质谱测试(Secondary Ion Mass Spectroscopy,SIMS)的方式,分析出反应气体的消耗造成的反应气体比例变化是引起该问题的主要因素。通过优化工艺参数,得到了片间应力在100~150 MPa之间、厚度均匀性5%以内的低应力氮化硅薄膜,可实现50片/炉的工艺能力,可批量应用于MEMS工艺中。
- 王敬轩商庆杰杨志
- 关键词：微机械加工低压化学气相淀积均匀性
- PECVD Si_(3)N_(4)薄膜淀积工艺
- 2024年
- 采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备氮化硅(Si_(3)N_(4))薄膜作为光电器件的重要介质膜,其性能好坏直接影响器件的性能。淀积的Si_(3)N_(4)薄膜主要用作光电探测器的扩散膜和增透膜,击穿电压是该器件中比较重要的测试参数。应力、击穿电压变化量则是器件的重要指标。通过试验对比和调试,发现不同工艺Si_(3)N_(4)介质膜应力和击穿电压变化量不同,最终实现了低应力、稳定击穿电压的膜层生长。300℃/150 W无氨Si_(3)N_(4)的压应力为50 MPa,在光照10 min后的击穿电压变化量小于0.1 V@50 V。
- ZHANG Qi张奇刘婷婷韩孟序商庆杰宋洁晶
- 关键词：PECVD应力击穿电压
- 掩埋异质结激光器的Mesa制备工艺
- 2023年
- 掩埋异质结结构的半导体激光器具有阈值低、光束质量好的优点。台面(Mesa)制作是掩埋结激光器加工过程中的一步关键工艺,采用传统的全湿法腐蚀工艺制作台面,3英寸圆片内腐蚀深度和器件输出功率水平差异较大。而采用干法刻蚀加湿法腐蚀工艺技术,制备出的台面表面光滑、侧壁连续,腐蚀深度差异为6%,最终器件输出功率水平的差异仅为2%。利用该掩埋结技术制备的1 550 nm大功率激光器均匀性有了较大提升,900μm腔长单管的阈值电流约12 mA,300 mA工作电流时功率输出100 mW。
- 张奇武艳青刘浩商庆杰宋洁晶
- 关键词：MESA干法刻蚀均匀性
- 一种MOM电容及其制作方法
- 本发明公开了一种MOM电容及其制作方法，属于电容的结构及其制作方法技术领域。主要包括以下几个步骤：一、氧化硅片；二、形成正面金属电极；三、在正面金属电极上粘贴蓝宝石基片；四、对硅片的背面进行光刻处理；五、腐蚀光刻掩膜以外...
- 商庆杰潘宏菽张力江付兴昌
- 声学谐振器封装结构
- 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声学谐振器封装结构。该谐振器包括基板；声学谐振器，设置在所述基板上，所述声学谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体；盖帽，所述盖帽与...
- 李亮商庆杰梁东升赵洋王利芹丁现朋刘青林冯利东张丹青崔玉兴张力江刘相伍杨志李宏军钱丽旭李丽卜爱民王强蔡树军付兴昌
- 文献传递
- 薄膜体声谐振器和半导体器件
- 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种薄膜体声谐振器和半导体器件。该薄膜体声谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层、上电极层和多个横向特征，所述多个横向特征包括多个台阶结构...
- 李亮吕鑫梁东升刘青林马杰高渊丁现朋冯利东商庆杰钱丽勋李丽
- 高密度电容器件的制备及其可靠性
- 2024年
- 介绍了一种基于微机械加工技术(MicroElectronMechanical System,MEMS)的硅基高密度电容芯片的制备方法。该电容芯片采用了深孔刻蚀、介质淀积生长以及原位掺杂多晶硅等工艺技术,实现了高击穿电压(50V@1μA)、高电容密度(38.8~39.5nF/mm^(2))的电容芯片制备。
- 商庆杰王敬轩董春晖宋洁晶杨志
