杨霏
- 作品数：21 被引量：31H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- SiC MESFET工艺技术研究与器件研制被引量：9
- 2009年
- 针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题,研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07nm的刻蚀表面;牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面损伤层,湿氧加干氧的氧化方式生长的SiO2钝化膜既有足够的厚度又保证了致密性良好的界面,减小了表面态对栅特性和沟道区的影响,获得了理想因子为1.17,势垒高度为0.72eV的良好的肖特基特性;等平面工艺有效屏蔽了衬底缺陷对电极互连引线的影响,减小了反向截止漏电流,使器件在1mA下击穿电压达到了65V,40V下反向漏电流为20μA。为了提高器件成品率,避免或减小衬底缺陷深能级对沟道电流的影响,使用该工艺制备的小栅宽SiC MESFET具有195mA/mm的饱和电流密度,-15V的夹断电压。初步测试该器件有一定的微波特性,2GHz下测试其最大输出功率为30dBm,增益大于5dB。
- 商庆杰潘宏菽陈昊霍玉柱杨霏默江辉冯震
- 关键词：碳化硅金属-半导体场效应晶体管干法刻蚀
- 小体积、低重量、高性能的SiC微波功率器件
- 利用国产SiC外延材料和自主开发的SiC器件工艺加工技术,实现了SiC微波功率器件在S波段连续波功率输出大于10W,功率增益大于9dB、功率附加效率不低于35％的性能样管,初步显现了SiC器件在S波段连续波大功率、高增益...
- 陈昊潘宏菽杨霏霍玉柱商庆杰齐国虎刘志平
- 4H-SiC SBD和JBS退火研究被引量：4
- 2009年
- 在4H-SiC外延材料上制备了SBD和JBS器件,研究并分析了退火温度对这两种器件正反向特性的影响。结果表明,低于350℃退火可同时提高SBD和JBS的正反向特性。当退火温度高于350℃时,二者的正向特性都出现退化,SBD退化较JBS更为严重。JBS阻断电压随退火温度升高而增大,在退火温度高于450℃时增加趋势变缓。SBD阻断电压随退火温度升高先升后降,在500℃退火时达到一个最大值。可见一定程度的退火有助于提高4H-SiCSBD和JBS器件的正反向特性,但须考虑其对正反向特性的不同影响。综合而言,退火优化后JBS优于SBD器件性能。
- 闫锐杨霏陈昊彭明明潘宏菽
- 关键词：4H-SIC肖特基势垒二极管退火
- 平坦化技术在微波功率SiC MESFET工艺中的应用
- 本文以微波SiC MESFET为例，首先要4H半绝缘SiC衬底片上外延一层缓冲层，用来减少衬底对SiC MESFET的影响，然后在缓冲层上生长一层n型的沟道层，再在沟道层上外延一层高掺杂的n型盖帽层用来形成源、漏金属电极...
- 潘宏菽商庆杰默江辉李静强霍玉柱杨霏陈昊
- 关键词：金属-半导体场效应晶体管碳化硅材料
- TEOS LPCVD技术在SiC功率器件工艺中的应用
- 2011年
- 应用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技术实现二氧化硅在SiC晶片表面的淀积,在一定程度上弥补了SiC氧化层过薄和PECVD二氧化硅层过于疏松的弊端。采用TEOS LPCVD技术与高温氧化技术的合理运用,既保证了氧化层介质的致密性和与SiC晶片的粘附能力,又提高了器件的电性能和成品率,同时避免了为获得一定厚度氧化层长时间高温氧化的不足。采用此技术后,SiC芯片的直流成品率得到提高,微波功率器件的对比流片结果显示微波性能也得到了明显的提升,功率增益比原工艺提高了1.5 dB左右,功率附加效率提升了近10%。
- 胡玲杨霏商庆杰潘宏菽
- 关键词：低压化学气相淀积正硅酸乙酯微波功率器件
- 双极模式SiCJFET功率特性的研究被引量：3
- 2011年
- 研究了常关型SiC双极模式结型场效应晶体管(BJFET)的工作机理并建立了数值模型.仿真结果表明SiCBJFET的双极工作模式可以有效的降低器件的开态电阻,折中器件的正反向特性而不增加工艺难度.仿真结果还表明SiCBJFET的双极工作模式会延长器件的开关时间.
- 张林杨霏肖剑谷文萍邱彦章
- 关键词：碳化硅双极型结型场效应晶体管
- SiC JFET功率特性的仿真与优化被引量：2
- 2012年
- 建立了常关型SiC结型场效应晶体管(JFET)功率特性的数值模型,研究了不同的结构和材料参数对器件功率特性的影响。仿真结果显示,沟道层、漂移层等各层的厚度及掺杂浓度对器件的开态电阻和击穿电压都有明显的影响;采用电流增强层可以明显提高器件的功率特性。研究结果表明,对SiC JFET的结构参数进行优化,可以有效提高器件的优值(FOM)。
- 张林杨霏肖剑邱彦章
- 关键词：碳化硅结型场效应晶体管
- 等平面化SiC MESFET的研制被引量：2
- 2008年
- 在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨导提高1.5mS/mm。2GHz下测试,微波功率附加效率提高10%左右,增益平均提高了2dB,在VDS=60V的条件下单管功率输出达到了86.5W。经过内匹配和功率合成研制成大功率的SiC脉冲功率管的综合性能较好,在250W的输出功率下,器件仍然保持高达10.5dB的高增益,功率附加效率30%。台阶仪和扫描电镜观测表明,台阶高度已经大大降低,侧壁得到了钝化,尖锐突起和凹坑都已经变得平缓。
- 杨霏陈昊潘宏菽默江辉商庆杰李亮闫锐冯震杨克武蔡树军姚素英
- 关键词：高增益功率附加效率大功率
- 一种碳化硅器件制备的平坦化及侧壁钝化工艺
- 本发明公开了一种碳化硅器件制备的平坦化及侧壁钝化工艺，即在碳化硅器件制备过程中减小器件表面台阶高度，平滑器件表面的尖角、凹槽，并且使侧壁钝化的工艺，该工艺通过采用在碳化硅器件表面和侧面普遍生长介质材料薄膜的方法使侧壁钝化...
- 潘宏菽杨霏商庆杰陈昊冯震彭明明秘瑕李亮闫锐蔡树军杨克武
- 文献传递
- 碳化硅二次外延结构
- 本发明公开了一种用于碳化硅器件制备的碳化硅二次外延材料结构，包括：一碳化硅单晶体衬底，一位于衬底表面的一次同质外延层，一位于一次同质外延层表面的二次外延层，其中一次同质外延层包括p型碳化硅缓冲层、n型碳化硅有源层以及非故...
- 杨霏潘宏菽陈昊冯震吕云安齐国虎张志国冯志红蔡树军杨克武
- 文献传递
