霍玉柱
- 作品数：35 被引量：25H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 防止金属横向扩展的SiC基体上制备欧姆接触的方法
- 本发明公开了一种防止金属横向扩展的SiC基体上制备欧姆接触的方法，其包括干法刻蚀SiC基体、划定欧姆接触的区域、在上述区域淀积金属层、高温退火，形成欧姆接触，其特征在于，在淀积金属层的步骤前面，增加下述步骤：①氧化步骤：...
- 霍玉柱潘宏菽商庆杰齐国虎
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- 高选择比混合叠层屏蔽膜的制备方法
- 本发明公开了一种等离子增强化学气相淀积工艺中高选择比混合叠层屏蔽膜的制备方法，其采用下述工艺步骤：(1)采用等离子增强化学气相淀积法淀积Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>层或SiO<Sub>2</Su...
- 李亮霍玉柱周瑞李丽亚严锐
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- SiC MESFET工艺技术研究与器件研制被引量：9
- 2009年
- 针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题,研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07nm的刻蚀表面;牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面损伤层,湿氧加干氧的氧化方式生长的SiO2钝化膜既有足够的厚度又保证了致密性良好的界面,减小了表面态对栅特性和沟道区的影响,获得了理想因子为1.17,势垒高度为0.72eV的良好的肖特基特性;等平面工艺有效屏蔽了衬底缺陷对电极互连引线的影响,减小了反向截止漏电流,使器件在1mA下击穿电压达到了65V,40V下反向漏电流为20μA。为了提高器件成品率,避免或减小衬底缺陷深能级对沟道电流的影响,使用该工艺制备的小栅宽SiC MESFET具有195mA/mm的饱和电流密度,-15V的夹断电压。初步测试该器件有一定的微波特性,2GHz下测试其最大输出功率为30dBm,增益大于5dB。
- 商庆杰潘宏菽陈昊霍玉柱杨霏默江辉冯震
- 关键词：碳化硅金属-半导体场效应晶体管干法刻蚀
- 小体积、低重量、高性能的SiC微波功率器件
- 利用国产SiC外延材料和自主开发的SiC器件工艺加工技术,实现了SiC微波功率器件在S波段连续波功率输出大于10W,功率增益大于9dB、功率附加效率不低于35％的性能样管,初步显现了SiC器件在S波段连续波大功率、高增益...
- 陈昊潘宏菽杨霏霍玉柱商庆杰齐国虎刘志平
- 用于霍尔效应测量的轻掺杂SiC基体上制作欧姆电极的方法
- 本发明公开了一种用于霍尔效应测量的轻掺杂SiC基体上制作欧姆电极的方法，包括在轻掺杂SiC基体上划定欧姆电极的区域、在上述区域淀积或涂覆金属、高温退火，形成欧姆电极，在淀积或涂覆金属步骤前面，增加下列工序：在欧姆电极的区...
- 陈昊霍玉柱齐国虎潘宏菽
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- 一种微波功率晶体管内匹配网络及其制造方法
- 本发明公开了一种微波功率晶体管内匹配网络及其制造方法，所述微波功率晶体管内匹配网络包括内匹配MOM电容、下电极引出线（5）、第一上电极引出线（6）、第二上电极引出线（7）；所述MOM电容下电极引出线（5）从下电极的光刻露...
- 付兴昌霍玉柱潘宏菽
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- 微波半导体集成电路 放大器
- 本文件规定了放大器的分类、技术要求、测试方法和检验规则等。<br />本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造放大器的设计、制造、采购和验收。
- 周俊霍玉柱黄建新邢浩吴维丽尹丽仪杨晓瑜朱镇忠李德鹏刘芳汪邦金赵岩
- 提高SiC MESFET栅金属平坦性的方法被引量：2
- 2010年
- SiC金属-半导体场效应晶体管的工艺研制中,通常需要有源区之间的隔离。现常用刻蚀隔离的方法,但这一方法存在细栅条跨越隔离台阶的问题,若隔离台阶太陡,则栅金属在台阶处连续性较差,易产生电迁徙,器件工作时首先在此处烧毁,使器件失效。设计了几种提高栅金属平坦性的方法:通过优化台上掩模层台阶倾斜角以及调整刻蚀ICP,RIE功率可以实现18°左右倾斜台阶;通过"类平坦化"技术可以将绝缘介质淀积到台下区,基本实现无台阶;利用"离子注入隔离"取代"刻蚀隔离"则可以真正实现无台阶。实验验证以上方法可以有效提高栅金属的平坦性。
- 霍玉柱商庆杰杨霏潘宏菽
- 关键词：金属-半导体场效应晶体管电迁徙
- 一种SiC MESFET栅极制作方法
- 本发明公开了一种SiC MESFET栅极制作方法，该方法在传统工艺的基础上通过增加湿法再氧化的工艺，通入HNO<Sub>3</Sub>水汽对氮氧化硅层进行进一步氮化处理，解决了SiC MESFET界面态密度大、肖特基势垒...
- 商庆杰霍玉柱潘宏菽李亚丽周瑞
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- 国产4H-SiC SI衬底MESFET外延生长及器件研制被引量：2
- 2008年
- 以国产衬底实现SiC加工工艺链为目标,采用国产4H-SiC半绝缘衬底材料外延得到4H-SiC MESFET结构材料。外延片XRD半宽43.2 arcs,方块电阻121点均匀性18.39%,随后制备出的具有直流特性的4H-SiC MESFET器件管芯,器件总栅宽250μm,饱和电流密度680 mA/mm,跨导约为20 mS/mm,在20 V下的栅漏截止漏电为10μA,2 mA下栅漏击穿电压为80 V。比例占总数的70%以上。初步实现从衬底到外延,进而实现器件的完整工艺链,为进一步的工艺循环打下良好基础。
- 陈昊商庆杰郝建民齐国虎霍玉柱杨克武
- 关键词：4H-SIC微波功率器件
