齐国虎
- 作品数：18 被引量：17H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>
- 国产4H-SiC SI衬底MESFET外延生长及器件研制被引量：2
- 2008年
- 以国产衬底实现SiC加工工艺链为目标,采用国产4H-SiC半绝缘衬底材料外延得到4H-SiC MESFET结构材料。外延片XRD半宽43.2 arcs,方块电阻121点均匀性18.39%,随后制备出的具有直流特性的4H-SiC MESFET器件管芯,器件总栅宽250μm,饱和电流密度680 mA/mm,跨导约为20 mS/mm,在20 V下的栅漏截止漏电为10μA,2 mA下栅漏击穿电压为80 V。比例占总数的70%以上。初步实现从衬底到外延,进而实现器件的完整工艺链,为进一步的工艺循环打下良好基础。
- 陈昊商庆杰郝建民齐国虎霍玉柱杨克武
- 关键词：4H-SIC微波功率器件
- 防止隔离式操作装置产生二次污染的方法
- 一种防止隔离式操作装置产生二次污染的方法，用于危险、有毒的化工原料进行隔离操作的场合，相应装置的结构中包括与外界隔离的操作间、缓冲间和配套设置的气体排放系统，关键的改进在于在隔离式操作装置的结构设计中增设了对危险逸出物的...
- 陈昊齐国虎霍玉柱吕云安
- 文献传递
- 防止金属横向扩展的SiC基体上制备欧姆接触的方法
- 本发明公开了一种防止金属横向扩展的SiC基体上制备欧姆接触的方法，其包括干法刻蚀SiC基体、划定欧姆接触的区域、在上述区域淀积金属层、高温退火，形成欧姆接触，其特征在于，在淀积金属层的步骤前面，增加下述步骤：①氧化步骤：...
- 霍玉柱潘宏菽商庆杰齐国虎
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- 小体积、低重量、高性能的SiC微波功率器件
- 利用国产SiC外延材料和自主开发的SiC器件工艺加工技术,实现了SiC微波功率器件在S波段连续波功率输出大于10W,功率增益大于9dB、功率附加效率不低于35％的性能样管,初步显现了SiC器件在S波段连续波大功率、高增益...
- 陈昊潘宏菽杨霏霍玉柱商庆杰齐国虎刘志平
- 用于霍尔效应测量的轻掺杂SiC基体上制作欧姆电极的方法
- 本发明公开了一种用于霍尔效应测量的轻掺杂SiC基体上制作欧姆电极的方法，包括在轻掺杂SiC基体上划定欧姆电极的区域、在上述区域淀积或涂覆金属、高温退火，形成欧姆电极，在淀积或涂覆金属步骤前面，增加下列工序：在欧姆电极的区...
- 陈昊霍玉柱齐国虎潘宏菽
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- 碳化硅二次外延结构
- 本发明公开了一种用于碳化硅器件制备的碳化硅二次外延材料结构，包括：一碳化硅单晶体衬底，一位于衬底表面的一次同质外延层，一位于一次同质外延层表面的二次外延层，其中一次同质外延层包括p型碳化硅缓冲层、n型碳化硅有源层以及非故...
- 杨霏潘宏菽陈昊冯震吕云安齐国虎张志国冯志红蔡树军杨克武
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- 4H-SiC同质外延层的表征
- 在高纯半绝缘4H-SiC偏8°衬底上同质外延生长了高质量的外延层,利用X射线双晶衍射,原子力显微镜(AFM),汞探针C-V以及霍尔效应,对样品进行了测试分析,证实外延层的结晶质量相对于衬底有着很大的改善。外延层10×10...
- 李佳齐国虎陈昊霍玉柱吕云安冯志红冯震蔡树军
- 关键词：X射线双晶衍射原子力显微镜
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- 一种能防止产生二次污染的氮气保护操作箱
- 一种能防止产生二次污染的氮气保护操作箱，用于危险、有毒的化工原料进行隔离操作的场合，相应装置的结构中包括与外界隔离的操作间、缓冲间和配套设置的气体排放系统，关键的改进在于在隔离式操作装置的结构设计中增设了对危险逸出物的收...
- 陈昊齐国虎霍玉柱吕云安
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- 4H-SiC(004)面双晶衍射摇摆曲线的分析被引量：3
- 2007年
- 用X射线双晶衍射法(XRD)对4H-SiC衬底和在该衬底上外延生长的4H-SiC单晶样品(004)面进行测试,在所有样品的测试结果中发现,摇摆曲线主峰左侧160″附近均出现傍肩,并且主峰衍射强度也较低。依据X射线衍射理论对系统射线在测试样品(004)面的衍射峰位展宽进行计算,并对4H-SiC原子结构进行了分析。研究结果证实,摇摆曲线中傍肩的存在与射线源中的Ka2射线参与衍射有关,而相对较低的衍射强度受其(004)面的特殊双层原子结构的影响。
- 马永强武一宾杨瑞霞齐国虎李若凡商耀辉陈昊牛晨亮
- 关键词：X射线双晶衍射摇摆曲线4H-SIC
- S波段连续波SiC功率MESFET被引量：1
- 2011年
- 利用国产SiC外延材料和自主开发的SiC器件工艺加工技术,实现了SiC微波功率器件在S波段连续波功率输出大于10W、功率增益大于9dB、功率附加效率不低于35%的性能样管,初步显现了SiC器件在S波段连续波大功率、高增益方面的优势。与以往的硅微波功率器件相比,在同样的频率和输出功率下,SiC微波功率器件的体积不到Si器件的1/7,重量不到Si器件的20%,其功率增益较Si器件提高了3dB以上,器件效率也得到了相应的提高。同时由于SiC微波功率器件的输入、输出阻抗要明显高于Si微波功率器件,在一定程度上可以简化或不用内匹配网络来得到比较高的微波功率增益,这就为器件的小体积、低重量奠定了基础,也为器件的大功率输出创造了条件。
- 陈昊潘宏菽杨霏霍玉柱商庆杰齐国虎刘志平
- 关键词：功率器件连续波内匹配
