2024年11月28日
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张颖
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6
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H指数:5
供职机构:
辽宁大学
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
高嵩
辽宁大学物理系
石广元
辽宁大学物理系
赵野
辽宁大学物理系
王中文
辽宁大学
石广源
辽宁大学
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高嵩
供职机构:辽宁大学
研究主题:VDMOSFET 特征导通电阻 导通电阻 击穿电压 保护环
发表作品
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石广元
供职机构:辽宁大学物理系
研究主题:VDMOSFET 碳化硅 6H-SIC 3C-SIC 球磨
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赵野
供职机构:辽宁大学
研究主题:VDMOSFET 特征电阻 保护环 柱面 终端
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石广源
供职机构:辽宁大学物理学院
研究主题:特征导通电阻 VDMOSFET 噪声 物理模型 FET
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孙正地
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:FET 氧化层厚度 RON 特征导通电阻 低压
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王中文
供职机构:辽宁大学物理学院
研究主题:VDMOSFET 特征导通电阻 导通电阻 功率VDMOSFET 击穿电压
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