石广元
- 作品数：21 被引量：30H指数：4
- 供职机构：辽宁大学物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术化学工程更多>>
- V形槽的腐蚀及其应用被引量：2
- 1981年
- 本文简要地回顾了腐蚀V形槽的几种方法。并以联氨(N_2H_4)腐蚀V形槽工艺为主,结合半导体硅的结构报告了腐蚀方法,及达到最佳化的条件。并指出了此工艺的应用。
- 孙彦卿石广元
- 关键词：窗孔各向异性腐蚀联氨氮化合物晶形掩模版
- 电阻栅MOSFET电流模型分析
- 1997年
- 本文以普通长沟道ＭＯＳＦＥＴ的电流模型为基础，推导出ＲＧ—ＭＯＳ－ＦＥＴ一级近似下电流模型的解析表达式．并对其物理机制进行了分析讨论．
- 尹光石广元王中文
- 关键词：电流模型场效应晶体管
- 短沟道MOS器件阈电压和跨导的温度关系
- 1992年
- 本文从yau的模型出发,推导出了短沟道硅栅MOSFET的阈电压表达式及阈电压与温度的关系:并考虑短沟道MOSFET的扩散电流。推导出简单的电流—电压关系表达式,求出了跨导;得到了与试验一致的结果。发现,随温度的降低,MOSFET的阈电压的大小上升,阈电压的温度梯度的大小减小,跨导的大小急剧上升。结果表明,MOSFET更适合低温下工作。
- 孙彦卿石广元孙立红
- 关键词：MOS器件阈电压跨导
- 全文增补中
- 球磨诱导6H-SiC→3C-SiC转变的HREM观察
- 1998年
- ＳｉＣ是典型的多型化合物，其多型体的生长规律及相互转变规律一直是材料科学工作者关注的问题。Ｐｉｒｏｕｚ等［１］报道了压痕压缩诱导６Ｈ－ＳｉＣ→３Ｃ－ＳｉＣ的转变，其转变温度在１０００℃以上。本文报道了在远低于１０００℃的室温球磨条件下６Ｈ－ＳｉＣ→３...
- 杨晓云石广元黄和鸾吴玉琨
- 关键词：晶体HREM碳化硅
- 压力变送器信号调理电路的设计思路被引量：2
- 1999年
- 就目前可得到的压力传感器和集成电路片，介绍了压力传感器的信号调理电路的设计．
- 孙立红崔敬花石广元
- 关键词：信号调理电路压力传感器压力变送器
- 传感器和执行器的未来
- 1993年
- 本文评述微传感器和微执行器的发展.
- 孙彦卿石广元
- 关键词：微传感器微执行器传感器执行器
- VDMOSFET终端场板的设计考虑被引量：5
- 2001年
- 对最基本的场板结构 ,通过理论推导 ,深入讨论了场板下氧化层厚度与击穿电压、氧化层玷污所带正电荷电量之间的关系 ;又给出了场板长度值与击穿电压和P+区结深之间的关系 .
- 张颖陈炳全石广元
- 关键词：场板氧化层厚度击穿电压功率器件VDMOSFET
- 双极晶体管导通状态对功率纵向双扩散MOSFET静态电流-电压特性的影响被引量：6
- 2001年
- 通过对VDMOS结构器件测量的I—V特性和模拟结果的分析 ,发现在此结构中 ,寄生的双极管对器件性能具有不良影响 .可以来用一种新型的具有浅扩散p+区的自对准VDMOS结构 ,以完全消除寄生的BJT导通机制 。
- 高嵩石广元张颖赵野
- 关键词：双极晶体管电流-电压特性半导体器件VDMOSFET
- 宽温高频高反压沟道基区晶体管研制被引量：1
- 1999年
- 耗尽基区双极晶体管也称为双极静电感应晶体管（ＢＳＩＴ），其电流放大系数（ｈＦＥ）具有负的温度系数．双极结型晶体管（ＢＪＴ）的ｈＦＥ具有正的温度系数．将ＢＳＩＴ与ＢＪＴ并联，采用ＢＪＴ常规平面工艺制造了宽温高频高反压沟道基区双极ＰＮＰ晶体管．本文描述了这种新器件结构、工作原理、设计与制造．新器件突出特点是：当温度变化较大时，ｈＦＥ漂移较小．测试结果表明：环境温度从２５℃升到１８０℃时，器件的ｈＦＥ随温度Ｔ的变化率小于３５％．优于同类型的常规双极结型晶体管，平均改善２０％．当温度从２５℃降到－５５℃，器件的ｈＦＥ变化率小于或等于３０％．
- 丛众吴春瑜王荣石广元闫东梅张雯朱肖林汪永生
- 关键词：静电感应双极晶体管BSIT
- 烧结工艺对可控硅参数的影响
- 1998年
- 本文讨论了烧结工艺对可控硅参数的影响，并对存在的问题进行分析，通过对烧结工艺的改进，使工艺中存在的一些问题得到了解决，从而提高了产品的合格率．
- 王中文石广元
- 关键词：欧姆接触可控硅
