赵野
- 作品数：4 被引量：16H指数：3
- 供职机构：辽宁大学更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 低压VDMOSFET导通电阻的优化设计被引量：7
- 2001年
- 对低压VDMOSFET导通电阻Ron的各个构成部分进行了理论分析 ,较为详细地讨论了窗口区和多晶硅栅区的尺寸和比例对器件的导通电阻的影响 .通过这些分析和计算 ,得出了VDMOSFET单元设计的最佳原则 ,并给出了低压条件下最佳单元尺寸 .
- 赵野张颖高嵩石广元
- 关键词：特征电阻VDMOSFET优化设计集成电路导通电阻
- 高压集成功率VDMOSFET的优化设计与研制
- 随着微电子技术的提高和VDMOS物理模型的修正与完善以及新的分析方法、计算方法的引入,使得研制更大规模的集成功率VDMOS(垂直双扩散型金属氧化物半导体场效应晶体管)成为可能.该文正是基于这样一个新的科技背景,从理论到实...
- 赵野
- 关键词：VDMOS特征电阻微电子技术物理模型
- 终端带单一场环的P^+N结击电压分析被引量：9
- 2001年
- 利用了平面结击穿电压的归一化表达式 ,研究了终端带单一场环的P+N结击穿电压特性 ,通过解峰值电场方程 ,给出了确定主结与单浮场环最佳间距的简便方法 ,得到了在未穿通情况下 。
- 张颖赵野高嵩石广元
- 双极晶体管导通状态对功率纵向双扩散MOSFET静态电流-电压特性的影响被引量：6
- 2001年
- 通过对VDMOS结构器件测量的I—V特性和模拟结果的分析 ,发现在此结构中 ,寄生的双极管对器件性能具有不良影响 .可以来用一种新型的具有浅扩散p+区的自对准VDMOS结构 ,以完全消除寄生的BJT导通机制 。
- 高嵩石广元张颖赵野
- 关键词：双极晶体管电流-电压特性半导体器件VDMOSFET
