张颖
- 作品数：6 被引量：31H指数：5
- 供职机构：辽宁大学更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- VDMOSFET终端场板的设计考虑被引量：5
- 2001年
- 对最基本的场板结构 ,通过理论推导 ,深入讨论了场板下氧化层厚度与击穿电压、氧化层玷污所带正电荷电量之间的关系 ;又给出了场板长度值与击穿电压和P+区结深之间的关系 .
- 张颖陈炳全石广元
- 关键词：场板氧化层厚度击穿电压功率器件VDMOSFET
- 双极晶体管导通状态对功率纵向双扩散MOSFET静态电流-电压特性的影响被引量：6
- 2001年
- 通过对VDMOS结构器件测量的I—V特性和模拟结果的分析 ,发现在此结构中 ,寄生的双极管对器件性能具有不良影响 .可以来用一种新型的具有浅扩散p+区的自对准VDMOS结构 ,以完全消除寄生的BJT导通机制 。
- 高嵩石广元张颖赵野
- 关键词：双极晶体管电流-电压特性半导体器件VDMOSFET
- 低压VDMOSFET导通电阻的优化设计被引量：7
- 2001年
- 对低压VDMOSFET导通电阻Ron的各个构成部分进行了理论分析 ,较为详细地讨论了窗口区和多晶硅栅区的尺寸和比例对器件的导通电阻的影响 .通过这些分析和计算 ,得出了VDMOSFET单元设计的最佳原则 ,并给出了低压条件下最佳单元尺寸 .
- 赵野张颖高嵩石广元
- 关键词：特征电阻VDMOSFET优化设计集成电路导通电阻
- 低压VDMOSFET'Ron的最佳比例设计研究被引量：18
- 2002年
- 文章以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系。重点讨论了N沟道VDMOSFET的P?体扩散区结深Xjp?和栅氧化物厚度Tox对器件特征导通电阻RonA的影响。首次给出了多晶硅窗口区尺寸PW和多晶区尺寸PT的最佳化设计比例PW/PT与Xjp?和Tox的关系。最后阐述了器件的最佳化设计思想。
- 石广源孙正地高嵩王中文张颖
- 关键词：特征导通电阻氧化层厚度
- 功率VDMOSFET的设计与研制
- 该文共分七部分：第一部分序言,简述了功率MOSFET的发展过程及其在社会各个领域的广泛用途;第二部分简述了功率VDMOSFET的结构与工作原理,着重讨论了VDMOSFET导通电阻的简化模型;第三部分研究了对功率半导体器件...
- 张颖
- 关键词：VDMOSFET导通电阻
- 文献传递网络资源链接
- 终端带单一场环的P^+N结击电压分析被引量：9
- 2001年
- 利用了平面结击穿电压的归一化表达式 ,研究了终端带单一场环的P+N结击穿电压特性 ,通过解峰值电场方程 ,给出了确定主结与单浮场环最佳间距的简便方法 ,得到了在未穿通情况下 。
- 张颖赵野高嵩石广元
