您的位置： 专家智库 > >

高嵩

作品数：23 被引量：72H指数：6
供职机构：辽宁大学更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术自然科学总论更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 4篇理学
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 7篇导通
  • 7篇导通电阻
  • 7篇电阻
  • 6篇VDMOSF...
  • 4篇特征导通电阻
  • 4篇半导体
  • 2篇优化设计
  • 2篇数学模型
  • 2篇双极晶体管
  • 2篇晶体管
  • 2篇击穿电压
  • 2篇功率VDMO...
  • 2篇保护环
  • 1篇导电性
  • 1篇低压
  • 1篇电流-电压特...
  • 1篇电路
  • 1篇电压
  • 1篇电压分析
  • 1篇电压特性

机构

  • 23篇辽宁大学
  • 1篇哈尔滨学院
  • 1篇西安微电子技...
  • 1篇沈阳工业学院
  • 1篇中国人民解放...
  • 1篇电子工业部
  • 1篇北京宏思电子...

作者

  • 23篇高嵩
  • 8篇石广源
  • 8篇王中文
  • 4篇张颖
  • 3篇沈桂芬
  • 3篇吴春瑜
  • 3篇石广元
  • 3篇赵野
  • 2篇李威
  • 2篇吕品
  • 2篇李永亮
  • 2篇姚朋军
  • 2篇刘兴辉
  • 2篇李严
  • 1篇李威
  • 1篇陈国栋
  • 1篇罗华
  • 1篇阎冬梅
  • 1篇黄和鸾
  • 1篇张九惠

传媒

  • 13篇辽宁大学学报...
  • 4篇微电子学与计...
  • 2篇微处理机
  • 1篇冶金能源
  • 1篇传感技术学报

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2004
  • 5篇2003
  • 1篇2002
  • 5篇2001
  • 1篇1999
  • 2篇1995
  • 2篇1993
共 23 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
各向异性腐蚀技术研究与分析被引量：16
2001年
本文详细分析了用各向异性腐蚀技术形成的压阻式压力传感器硅杯的几种腐蚀方法 ,根据实验提出了它们的优缺点 ,介绍了几种各向异性蚀的自致停止法和腐蚀中削角的补偿方法 ,对制造微量程、高灵敏度的压力传感器有一定的指导意义 .
沈桂芬吴春瑜姚朋军杨学昌刘兴辉吕品高嵩
关键词：各向异性腐蚀压力传感器
VDMOSFET沟道区的研究被引量：1
2007年
讨论了影响沟道长度及沟道的夹断区长度的因素,通过沟道区的优化促进了VDMOSFET性能的提高.
石广源李严李永亮高嵩
关键词：沟道长度VDMOSFET
SOC设计中多bits数据跨时钟域的解决方法被引量：4
2011年
在SOC(System On Chip)设计中,随着数字系统复杂性的提高,系统芯片中集成了越来越多的模块,这些模块通常工作在不同的时钟频率下.各控制器或者模块之间进行数据访问时,需要在将多bits数据同步到不同的时钟下.从跨时钟域时异步信号带来的亚稳态问题及其造成的影响,提出了包括握手信号和FIFO等针对不同的异步信号传输进行不同的跨时钟设计.
胡昌顺高嵩吴春瑜张文婧
关键词：亚稳态FIFO
双极晶体管导通状态对功率纵向双扩散MOSFET静态电流-电压特性的影响被引量：6
2001年
通过对VDMOS结构器件测量的I—V特性和模拟结果的分析 ,发现在此结构中 ,寄生的双极管对器件性能具有不良影响 .可以来用一种新型的具有浅扩散p+区的自对准VDMOS结构 ,以完全消除寄生的BJT导通机制 。
高嵩石广元张颖赵野
关键词：双极晶体管电流-电压特性半导体器件VDMOSFET
Si/Si_(1-x)Ge_x 异质结双极晶体管的研究概述
1993年
本文介绍了 Si_(1-x)Ge_x 基区异质结双极晶体管(HBT)的特点;Si_(1-x)Ge_x 合金层的生长方法;两种 Si_(1-x)Ge_x 基区 npn 器件的结构和特性以及对 Si_(1-x)Ge_x 合金层质量估价和异质结特性的检测方法。
高嵩黄和鸾陈国栋李威
关键词：异质结双极晶体管
用深能级瞬态谱技术研究MOS结构界面态的分布
1993年
本文简述了深能级瞬态谱技术测量界面态分布的基本原理。在大量实验基础上给出典型MOS结构界面态分布的测试曲线与数据,对实验结果进行了有价值的分析。
沈桂芬高嵩王正荣张九惠
关键词：深能级瞬态谱界面态MOS结构
单场限环结构的表面电场分布及环间距的优化被引量：6
2008年
基于横向扩散与纵向扩散构成的冶金结边界为椭圆形这一特点,讨论单场限环结构表面电场强度的分布,给出表面电场强度、主结及环结分担电压的解析表达式。在纵向结深和掺杂浓度一定的条件下,根据临界电场击穿理论,讨论环间距的优化设计方法。单场限环结构主结环结间表面电场强度的绝对值曲线近似呈抛物线,最大电场位于主结处。随着环间距的增大,最大电场变大;随着横向扩散深度的增大,最大电场变小。环右侧最大电场也出现在结处,随着环间距和横向扩散深度的增加,最大电场均减小。在场限环结构中,当主结和环结在表面处的最大电场强度均等于临界电场强度时,击穿电压达到最大值,此时所对应的环间距为最佳环间距。
高嵩石广源王中文
关键词：场限环表面电场击穿电压
量子线与量子点中的量子态被引量：1
1995年
本文简要地介绍了量子线与量子点的概念，并说明可利用电容测量研究低维系统的性质。
高嵩李威齐荔
关键词：量子线量子点量子态半导体
高温空气燃烧系统的研制及应用被引量：1
2003年
在大量实验研究的基础上 ,借鉴国外已有成功经验 ,研制开发自己的高温空气燃烧系统 ,其中包括 :蓄热式燃烧器、蓄热室、四通换向阀、控制装置等 ,并将其应用到 30吨熔铝炉。生产结果表明 ,燃料节约率达 5 4 % ,投资回收期少于 1年。
张路宁高嵩
关键词：高温空气燃烧系统蓄热式燃烧器蓄热室四通换向阀熔铝炉节能
新型结终端技术被引量：2
2006年
提出了一种新型的场板和保护环相结合的结终端技术,并讨论了此终端结构的工作原理和优越性.
石广源李永亮李严高嵩
关键词：场板保护环结终端技术
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0