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10 条 记 录,以下是 1-10
陈新宇
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 开关 GAAS_MMIC 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨磊
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:低噪声放大器 微波单片集成电路 砷化镓 高集成 芯片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张有涛
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:INP GAAS 超高速 数模转换器 磷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曲俊达
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:异质结双极晶体管 KU波段 SIGE 幅相 单刀双掷开关
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
童伟
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:KU波段 异质结双极晶体管 SIGE 幅相 单刀双掷开关
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李健康
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:KU波段 异质结双极晶体管 SIGE 幅相 单刀双掷开关
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晓鹏
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:INP 磷化铟 GS DHBT 电流舵
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱峰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:功率放大器 砷化镓 HBT GAAS_PHEMT MMIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
沈宏昌
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:衰减器 基本电子电路 单刀双掷开关 数控衰减器 KU波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱彦青
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:高线性 高增益 低噪声放大器 噪声系数 INGAP/GAAS_HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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