李健康
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：毫米波国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- Ku波段SiGe幅相多功能芯片设计被引量：5
- 2017年
- 幅相多功能芯片是相控阵雷达的关键部件。为了降低前端收发组件的尺寸和成本,本文采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计了一款Ku波段幅相多功能芯片,单片集成了接收通道和发射通道,芯片面积2.5 mm×4.5mm。研制的多功能芯片的接收通道含前端低噪声放大器、六位数控衰减器、驱动放大器、单刀双掷开关、六位数控移相器;发射通道含六位数控移相器、单刀双掷开关、驱动放大器、中功率放大器。此外,为了进一步提高芯片的集成度,采用片上集成的电源管理单元和数字逻辑单元实现电源电压变换、衰减器和移相器的逻辑控制以及收发通道切换等功能。实测结果表明:在f1~f2(1GHz带宽)频带内,实现了发射增益17dB,发射功率(Psat)21.7dBm;接收增益-3dB,接收输入功率(P-1)-8.5dBm,接收噪声系数6.5dB;5.625°移相步进,移相精度(RMS)4.5°;0.5dB衰减步进,衰减精度(0.3dB+7%AS)。
- 李健康沈宏昌陈亮李晓鹏童伟曲俊达
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管衰减器单刀双掷开关
- 8~14 GHz SiGe BiCMOS宽带功率放大器
- 2021年
- 基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,实现了一个8~14 GHz的宽带功率放大器芯片.通过采用增益分布技术有效地拓展了放大器的工作带宽而又不会显著恶化增益;利用基于变压器的功率合成技术,显著地提高了放大器的输出功率.测试结果表明,放大器获得了27 dB的峰值增益,6 GHz的3dB带宽,其中带宽比为54.5%.在3dB范围内,放大器获得了17.5~20.5 dBm的饱和输出功率,以及12~18%的附加效率.包含压焊盘在内的芯片约为1.0 mm 2.
- 罗将何环环王锋周中杰童伟李健康苏国东
- 关键词：BICMOS宽带放大器增益分布
- 高集成度X波段1W单通道硅基三维集成器件
- 2021年
- 南京电子器件研究所基于自有的8寸硅基射频微系统工艺线,研制了一款工作在X波段输出功率1W的高集成度单通道硅基三维集成器件。该器件以高阻硅为原材料,结合TSV转接板、晶圆级键合、高密度RDL以及多层BGA POP等三维集成工艺技术,在8.5 mm×8.5 mm×3.0mm的体积内实现了GaAs多功能芯片、收发电源调制芯片、串并转换接口芯片以及IPD的一体化集成;该器件具备了相控阵T/R组件所需的收发信号的移相、衰减、放大、SPI控制、电源调制以及栅稳压等功能,其发射输出功率约为30 dBm,接收增益大于23.5 dB,接收输出P-ldB大于-5 dBm,噪声系数小于3.2dB,移相精度RMS小于4°,衰减精度RMS小于0.5dB。
- 蔡传涛周潇潇赵磊张硕杨清愉刘鹏飞李健康
- 关键词：T/R组件X波段相控阵
- 一种大功率高效率的Ku波段SiGe硅功率放大器设计
- 2017年
- 采用SiGe BiCMOS工艺设计了一款大功率高效率硅基功率放大器芯片,用于驱动现有大功率GaN功率放大器芯片,满足相控阵雷达的低成本需求。该硅基功率放大器通过和低噪声放大器、驱动放大器、数控移相器、数控衰减器、单刀双掷开关、电源管理以及数字逻辑单元等硅基电路进一步集成,实现了一片式高集成度硅基幅相多功能芯片,从而降低了前端收发组件的尺寸和成本。在硅基功率放大器设计中,结合Stack结构、变压器耦合结构和有源偏置结构,开展电路设计及优化,提高了放大器的输出功率和效率。测试结果表明:研制的硅基功率放大器在Ku波段f_1~f_2(3GHz带宽)频带内,实现了小信号增益31dB;在-3dBm输入功率条件下,实现发射功率21.5dBm、功率附加效率(PAE)25%等技术指标。集成功率放大器的幅相多功能芯片在f_1~f_2(3GHz带宽)频带内,实现了发射通道增益24dB;在5dBm输入功率条件下发射功率21.5dBm、功率附加效率(PAE)23%等技术指标。
- 李健康童伟沈宏昌浦钰钤曲俊达
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管功率放大器
