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杨彦涛
供职机构:杭州士兰集成电路有限公司
研究主题:沟槽 功率器件 接触孔 功率半导体器件 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李志栓
供职机构:杭州士兰集成电路有限公司
研究主题:沟槽 深槽刻蚀 刻蚀 乙硼烷 掺硼
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李小锋
供职机构:杭州士兰集成电路有限公司
研究主题:BIPOLAR 发射区 外延层 氮化硅薄膜 双极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯荣杰
供职机构:杭州士兰集成电路有限公司
研究主题:布线结构 介质层 接触孔 干法刻蚀 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙健
供职机构:杭州士兰集成电路有限公司
研究主题:乙硼烷 掺硼 保质期 半导体制程 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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