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钱伟

作品数：4 被引量：12H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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地区

  • 14个江苏省
共 14 条 记 录，以下是 1-10
陈斌
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SIC 场效应管 宽禁带半导体 金属半导体场效应管 微波器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋幼泉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
严德圣
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 LDMOS 脉冲 L波段 金属-氧化物-半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柏松
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SIC 4H-SIC 碳化硅 SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈刚
供职机构：南京大学
研究主题：4H-SIC 碳化硅 SIC SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周德红
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 硅脉冲功率晶体管 功率晶体管 MHZ 脉冲
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘雪
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：长脉宽 GAN 硅 VHF 功率管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王佃利
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 微波功率晶体管 LDMOS 硅脉冲功率晶体管 功率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘洪军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 LDMOS 金属-氧化物-半导体 脉冲 L波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁晓明
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 功率管 大功率管 微波脉冲 脉冲
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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