严德圣
- 作品数：9 被引量：21H指数：3
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- 1.2~1.4GHz 600W硅LDMOS微波功率晶体管研制被引量：4
- 2016年
- 针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%占空比及15 W输入功率的工作条件下,输出功率大于630 W,增益大于16.3dB,漏极效率大于53.1%。所研制的芯片已进入相关工程应用。
- 应贤炜王建浩王佃利刘洪军严德圣顾晓春
- 关键词：L波段微波功率晶体管
- 硅LDMOS射频功率器件的发展历程与趋势被引量：7
- 2011年
- 从芯片结构的变化以及可靠性的提升角度简述了LDMOS射频功率器件的发展历程及趋势,给出了LD-MOS的最新研制结果。现在LDMOS射频功率器件在向高工作电压、高输出功率、高可靠以及脉冲应用等方向发展。
- 王佃利刘洪军吕勇严德圣盛国兴王因生蒋幼泉
- 关键词：硅射频功率
- AZ5214反转胶在电镀工艺中的应用
- 2014年
- 介绍了一种基于反转光刻胶的电镀工艺,改善了电镀后器件剖面的形貌,有效的减小了后续淀积隔离介质产生的空洞。通过实验,优化了光刻显影工艺参数,并成功应用与批量生产中,提高了器件的可靠性与生产的成品率。
- 严德圣周德红王佃利
- 关键词：电镀
- 硅微波功率管键合失效机理分析被引量：1
- 2014年
- 硅微波功率管在生产过程中随机发生大量的键合失效。分析表明,这种硅功率管管芯的焊盘与有源区的连接处介质层容易在键合过程中因为受到金丝的振动冲击而毁坏,因此键合完成后镀金层与介质层无法完整粘合,从而造成微调金丝弧度时发生键合失效。通过加厚焊盘镀金层,避免了金丝对介质层的冲击,提高了硅功率管的键合质量及成品率。
- 钱伟严德圣丁晓明周德红刘雪高群蒋幼泉
- 关键词：键合
- 千瓦级LDMOS大功率器件研制被引量：3
- 2014年
- 南京电子器件研究所采用背面源射频LDMOS器件结构，通过优化芯片纵横向结构、漂移区结构、漂移区注入、退火条件及场板结构等，突破了大功率器件散热设计、高击穿电压设计与工艺实现等技术难题，成功研制出可输出千瓦功率的LDMOS大功率器件。
- 王佃利李相光严德圣应贤炜丁晓明梅海刘洪军蒋幼泉
- 关键词：LDMOS千瓦级散热设计场板结构
- P波段450W硅LDMOS脉冲功率器件的研制被引量：11
- 2011年
- 报道了P波段450 W硅LDMOS器件的研制结果。所研制器件采用沟槽技术实现背面源结构,采用场板技术提高击穿电压并降低栅漏电容,采用多晶硅金属硅化物结构降低栅阻。研制结果表明,在漏源工作电压36 V,脉宽20 ms,占空比35.7%的测试条件下,485～606 MHz全带内输出功率达到450 W,增益大于18 dB,效率大于60%。
- 王佃利李相光严德圣丁小明刘洪军钱伟蒋幼泉王因生
- 关键词：硅脉冲场板
- 2000W硅LDMOS微波脉冲大功率晶体管被引量：3
- 2017年
- 针对雷达、等离子体射频源、广播通信等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,通过热仿真优化了芯片版图布局,通过芯片级Load-pull仿真优化了芯片结构,成功开发了50V千瓦级硅LDMOS功率管。该器件耐压大于140V,在50V工作电压、230MHz工作频率、100μs脉宽、20%占空比、18W输入功率的测试条件下,输出功率大于2 000 W,增益大于20.4dB,漏极效率大于66.2%,抗失配通过10∶1。
- 应贤炜王佃利李相光梅海吕勇刘洪军严德圣杨立杰
- 关键词：微波功率晶体管
- 1.2～1.4GHz 300W宽带硅微波脉冲大功率管被引量：1
- 2012年
- 介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2～1.4GHz频带内,脉宽150μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于300W,功率增益大于8.75dB,效率大于55%。
- 王因生丁晓明蒋幼泉傅义珠王佃利王志楠盛国兴严德圣
- 关键词：硅功率管镇流电阻
- 1．2～1．4GHz370W硅双极型晶体管研制被引量：3
- 2014年
- 通过进一步优化芯片设计与工艺设计，研制出L波段370W硅双极型功率晶体管。该器件在42V工作电压下，脉宽150μs，占空比10％，频率1．2～1．4GHz全带内，输出功率可达370W以上，增益达8．7dB，效率大于55％，具有良好的抗失配性能。
- 刘洪军王建浩丁晓明高群冯忠庸安明严德圣蒋幼泉
- 关键词：L波段
