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冷兴龙

作品数：36 被引量：4H指数：1
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合作作者

领域

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机构

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资助

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传媒

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  • 3个电子器件

地区

  • 12个北京市
  • 1个广东省
共 13 条 记 录，以下是 1-10
夏洋
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 等离子体 氧化锌薄膜 SUB 共掺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵丽莉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 离子注入 菲涅耳波带片 注入机 特性参数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李楠
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 启辉 等离子体 电极 半导体制造技术
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘涛
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 白光干涉 激光干涉 蓝宝石 近场光学
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
屈芙蓉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 前驱体 PIII 薄膜封装 腔体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘键
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化碳薄膜 氮化碳
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卢维尔
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 氧化锌薄膜 共掺 受主 掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘杰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：等离子体浸没离子注入 离子注入 等离子体 离子 薄膜封装
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
景玉鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅片 气敏传感器 光刻胶 刻蚀 临界态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李超波
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 氧化锌薄膜 离子注入 等离子体 共掺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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