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黄运衡

作品数：6 被引量：6H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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合作作者

领域

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主题

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机构

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传媒

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地区

  • 15个北京市
共 15 条 记 录，以下是 1-10
孙殿照
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 GSMBE生长 氮化镓 GSMBE 半导体材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔梅影
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 MBE GSMBE生长 GAAS GSMBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱世荣
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GSMBE生长 半导体材料 分子束外延 GSMBE 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晓兵
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 GSMBE生长 GSMBE 气态源分子束外延 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林兰英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张剑平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GSMBE 氮化镓 GAN 电子输运 GSMBE生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑海群
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS X GAAS/ALGAAS多量子阱 红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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