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朱世荣

作品数：24 被引量：19H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 4篇专利
  • 2篇科技成果

领域

  • 20篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 11篇分子束
  • 11篇分子束外延
  • 10篇半导体
  • 8篇半导体材料
  • 7篇GSMBE生...
  • 5篇碳化硅
  • 5篇分子束外延生...
  • 5篇GSMBE
  • 4篇衬底
  • 3篇异质结
  • 3篇异质结双极晶...
  • 3篇原位掺杂
  • 3篇双极晶体管
  • 3篇磷化铟
  • 3篇晶体管
  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 3篇3C-SIC
  • 3篇掺杂
  • 2篇氮化镓

机构

  • 24篇中国科学院

作者

  • 24篇朱世荣
  • 18篇孔梅影
  • 16篇曾一平
  • 16篇孙殿照
  • 11篇李晋闽
  • 9篇林兰英
  • 9篇李建平
  • 7篇王晓亮
  • 7篇黄大定
  • 6篇孙国胜
  • 6篇高斐
  • 6篇李晓兵
  • 5篇王雷
  • 5篇李灵霄
  • 4篇刘金平
  • 4篇罗木昌
  • 4篇黄运衡
  • 3篇刘超
  • 3篇林燕霞
  • 2篇李灵宵

传媒

  • 6篇Journa...
  • 4篇第六届全国分...
  • 2篇高技术通讯
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇1996年中...

年份

  • 1篇2004
  • 3篇2003
  • 1篇2002
  • 6篇2001
  • 2篇2000
  • 1篇1999
  • 5篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 1篇1992
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术
本文将介绍采用气固源分子束外延工艺生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术,以获得理想掺杂分布的HBT材料的结果.
黄大定刘超李建平高斐孙殿照朱世荣孔梅影
关键词：分子束外延生长SIGE/SI原位掺杂控制技术半导体材料
文献传递
Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究
本文介绍了利用最近设计完成的冷壁式不锈钢超高真空MBE生长系统,结合MBE和CVD两种生长技术的特点,在2英寸的Si(100)和Si(111)衬底上外延生长出了高取向无坑洞的晶态3C-SiC外延材料,获得了制备无坑洞3C...
孙国胜王雪罗木昌朱世荣李晋闽曾一平林兰英
关键词：碳化硅半导体材料分子束外延生长SI衬底
文献传递
一种高温碳化硅半导体材料制造装置
一种高温碳化硅半导体材料制造装置，包括前级进样室、样品传递装置、样品生长装置、插板阀和抽气设备；其中样品传递装置、前级进样室、插板阀和样品生长装置通过标准CF或标准VCR依序连接密封在一直线上；前级进样室和样品生长装置的...
李晋闽孙国胜朱世荣曾一平孙殿照王雷
文献传递
GaN材料的GSMBE生长被引量：1
1997年
在国内首次用NH3作氮源的GSMB方法在α－Al2O3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0．5μm／h。GaN外延膜的（0002）双晶X射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8arcmin，霍尔迁移率为50cm2／V．s。对质量好的GaN膜，室温阴极发光谱上只有一个强而锐的近带边发光峰，谱峰位于372nm处，谱峰半高宽为14nm（125meV）。
王晓亮孙殿照李晓兵黄运衡朱世荣曾一平李晋闽孔梅影林兰英
关键词：氮化镓分子束外延蓝宝石半导体
气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料被引量：1
1996年
本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果．材料是ＧａＡｓ（１００）衬底上外延的晶格匹配的Ｉｎｙ（Ｇａ１－ｘＡｌｘ）１－ｙＰ（ｘ＝０～１，ｙ＝０．５），ＩｎＧａＰ／ＩｎＡｌＰ多量子阱；在ＩｎＰ（１００）衬底上外延的ＩｎＰ，晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ以及ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ／ＩｎＡｓＰ多量子阱，ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡＳＨＥＭＴ等．外延实验是用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统做的．
袁瑞霞阎春辉国红熙李晓兵朱世荣曾一平李灵霄孔梅影
关键词：磷化铟砷化铟分子束外延
高质量GaN材料的GSMBE生长被引量：6
1997年
在国内首次用NH3作氮源的GSMBE方法在α－Al2O3衬底上成功地生长出了高质量的GaN单晶外延膜．GaN外延膜的（0002）X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8’；背景电子浓度最低为2．7×1018cm－3，霍尔迁移率最好为91cm2／（V·s）；室温光致发光谱上只观察到一个强而锐的带边发光峰，谱峰位于363nm处，室温谱峰半高宽最窄为8nm（75meV）．
王晓亮孙殿照孔梅影张剑平付荣辉朱世荣曾一平李晋闽林兰英
关键词：氮化镓GSMBE
Si(001)衬底上方形3C-SiC岛的LPCVD生长
2001年
Si衬底上SiC的异质外延生长深受关注 ,为了了解Si衬底上SiC的成核及长大过程 ,采用LPCVD方法在Si(0 0 1)衬底上生长出了方形 3C -SiC岛 ,利用Nomarski光学显微镜和扫描电子显微镜 (SEM )观察了SiC岛的形状、尺寸、密度和界面形貌 .结果表明 ,3C -SiC岛生长所需的Si原子来自反应气源 ,衬底上的Si原子不发生迁移或外扩散 。
孙国胜罗木昌王雷朱世荣李晋闽林兰英
关键词：LPCVD半导体材料碳化硅硅衬底异质外延生长
MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量子阱激光器性能的影响
1997年
采用分子束外延（ＭＢＥ）技术，研制生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变单量子阱激光器材料，并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明，较高的ＩｎＧａＡｓ生长温度和尽可能短的生长停顿时间，将有利于降低激光器的阈值电流。所外延的激光器材料在２５０μｍ×５００μｍ宽接触、脉冲工作方式下测量的阈电流密度的典型值为１６０ｍＡ／ｃｍ２。用湿法腐蚀制作的４μｍ条宽的脊型波导激光器，阈值电流为１６ｎＡ，外微分量子效率为０４ｍＷ／ｍＡ，激射波长为９７６±２ｎｍ，线性输出功率为１００ｍＷ。
曾一平孔梅影王晓亮朱世荣李灵霄李晋闽
关键词：激光器MBE生长
高速电路用GeSi/Si外延材料
黄大定李建平孙殿照刘学锋刘金平林燕霞高斐邹吕凡朱世荣李灵宵孔梅影林兰英
该项目为SiGe/Si材料生长工艺及其掺杂控制技术，项目过程中生长出了高质量的n-p-n HBT所需要的Si/SiGe/Si构材料：Ge组分及n、p型掺杂均达到项目指标要求；能够严格控制n、p型掺杂区域，将基区的硼杂质限...
关键词：
关键词：HBT
高温微电子器件用GSMBE氮化物材料
孙殿照王晓亮王军喜胡国新刘宏新朱世荣张剑平李晓兵刘成海黄运衡曾一平李晋闽孔梅影林兰英
该项目为GSMBE技术，是MBE技术的一种，根据所使用的气体不同可 分为使用氨气的NH_3-MBE和使用氮气等离子体的RF-MBE。前者依靠热分解把氨分子分解成氮原子，而后者则利用射频电磁场将氮分子裂解成氮原子。该课题使...
关键词：
关键词：微电子GSMBE氮化物
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