曾一平
- 作品数：581 被引量：302H指数：8
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 具有宽带响应的GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器
- 1994年
- 报道具有宽带响应的130元线列GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的研究进展.通过表面光栅耦合,采用垂直入射的工作模式,在T=80K时测得器件探测率的光谱响应曲线的半峰宽为4.3μm.在λ_p=9.5μm时的峰值探测率为4.89×10~9cmHz^(1/2)/W,电压响应率为2.89×10~4V/W.
- 李晋闽郑海群曾一平孔梅影
- 关键词：红外探测器多量子阱砷化镓ALGAAS
- 基于液晶调控的垂直腔面发射激光器及其制备方法
- 本发明提供了一种基于液晶调控的垂直腔面发射激光器，所述垂直腔面发射激光器包括传统氧化限制型垂直腔面发射激光器结构和液晶模式调制结构，其中，传统氧化限制型垂直腔面发射激光器结构，用于发射激发模式；液晶模式调制结构，位于所述...
- 邵泓焰曾一平张杨崔利杰崔宁
- In<,0.53>Ga<,0.47>As/In<,0.52>Al<,0.48>As MHEMT材料中光致发光(PL)谱与电学性能的关系研究
- 用分子束外延(MBE)法在GaAs衬底上生长了In<,0.53>Ga<,0.47>As/In<,0.52>Al<,0.48>As异质结MHEMT材料结构.采用光致发光(PL)谱和Hall测量手段分析了样品光学和电学性能....
- 崔利杰曾一平王保强朱战平
- 关键词：MHEMT电学性能
- 文献传递
- ZnO基GaN材料的生长初探
- 高质量大尺寸的GaN单晶材料的获得是目前进一步发展GaN基器件的关键问题。由于目前已经证明工业化生产GaN体单晶非常困难,因此目前多采用c面蓝宝石、Si或6H-SiC作为衬底生长GaN薄膜材料。而ZnO以其与GaN相同的...
- 魏学成曾一平王国宏李晋闽
- 关键词：化合物半导体晶体结构
- 文献传递
- 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法
- 本发明公开了一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法，包括以下步骤：步骤1、在碳化硅晶体表面生长氮化铝掩膜层；步骤2、在氮化铝掩膜层上刻蚀形成刻蚀碳化硅晶体所需图形；步骤3、利用所述氮化铝掩膜层上的所述图形对所述...
- 刘胜北何志刘斌刘兴昉杨香樊中朝王晓峰王晓东赵永梅杨富华孙国胜曾一平
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- 采用金属源化学气相沉积技术制备极性可控氧化锌的方法
- 本发明公开了一种采用金属源化学气相沉积技术制备极性可控氧化锌的方法，包括：在c-面蓝宝石衬底上生长一层氧化锌膜；对生长有氧化锌膜的蓝宝石衬底进行降温；去掉蓝宝石衬底上生长的氧化锌膜；以及在c-面蓝宝石衬底上进行第二次生长...
- 王晓峰段垚崔军朋曾一平
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- 在SiC材料中获取二维电子气的方法
- 本发明提供一种在SiC材料中获取二维电子气的方法，包括如下步骤：步骤1：取一晶面为(0001)的SiC衬底；步骤2：在晶面为(0001)的SiC衬底上制作晶面为(0001)的AlN层。本发明可以用在SiC基开关器件的制造...
- 申占伟张峰赵万顺王雷闫果果刘兴昉孙国胜曾一平
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- 竖直式HVPE反应系统的理论模拟与GaN厚膜生长被引量：1
- 2007年
- 根据流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度分布,以及反应室的温场分布.NH3浓度在衬底附近分布均匀,而GaCl浓度在衬底中心区域较大,周边较小.实验结果表明,外延层在中心区生长速率为260μm/h,周边为140/μm/h.X射线摇摆曲线半高宽为141".O杂质的引入,使得样品具有较强的黄光发射.
- 马平段垚魏同波段瑞飞王军喜曾一平李晋闽
- 关键词：氢化物气相外延GAN
- 碳化硅外延层区域掺杂的方法
- 一种碳化硅外延层区域掺杂的方法，包括：取一碳化硅衬底，并清洗干净；在衬底的表面外延一第一本征硅层；刻蚀，在第一本征硅层上形成第一图形化硅层，刻蚀深度到达衬底的表面；升高温度使第一本征硅层熔化，通入碳源，同时通入第一类型掺...
- 刘兴昉刘斌闫果果刘胜北王雷赵万顺张峰孙国胜曾一平
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- 一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置
- 一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置，包含：一密封操作箱为一矩形箱体，在密封操作箱的一背面开有两个圆孔，顶部有一个出气口，底部有一个进气口，正面有两个用于密封安装橡胶手套的操作口；两个三通过渡连接件的端口为法兰端口，该两...
- 孙国胜王雷赵万顺曾一平叶志仙刘兴昉
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