王军喜
- 作品数：649 被引量：244H指数：8
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学金属学及工艺更多>>
- 利用InGaN做垒对LED多量子阱材料质量及光电性能影响
- 利用金属有机化合物气相沉积（MOCVD）系统,在蓝宝石衬底上外延生长以InGaN做垒的多量子阱蓝光发光二极管（LED）材料。本文对比了GaN垒和InGaN垒样品材料质量和发光特性。结果表明,材料界面的质量变化不大,但利用...
- 张宁姬小丽刘乃鑫刘喆王军喜
- 关键词：LED高分辨X射线衍射光致发光量子效率
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- 极化诱导AlxGa1-xN/GaN HEMT结构材料及器件性能研究
- Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN HEMT材料具有更大的自发极化强度和更大的压电极化系数,由于自发极化和压电极化效应的影响,Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN HEMT结构材料可产生的二维电子气浓度可大于10<...
- 王晓亮孙殿照王军喜胡国新刘宏新刘成海曾一平李晋闽林兰英
- 关键词：自发极化压电极化二维电子气HEMT器件
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- 同时用于照明与通信的激光光源装置
- 一种同时用于照明与通信的激光光源装置，包括：一镜筒，该镜筒为圆管形；一单晶体荧光片，其安装在镜筒内；一会聚透镜，其安装在镜筒内，位于单晶体荧光片的一侧；一半导体激光二极管；一半导体致冷器，其位于镜筒外靠近会聚透镜的一侧；...
- 刘喆杨杰薛斌王军喜李晋闽
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- 在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法
- 本发明提供了一种在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法，包括下列步骤：在SiC衬底上生长LED外延片；制备出P面具有反射金属膜的外延片，与新的衬底键合，形成倒装结构的LED外延片；采用机械研磨工艺将SiC衬...
- 孔庆峰马平纪攀峰卢鹏志杨华刘志强伊晓燕王军喜王国宏曾一平李晋闽
- 失配光谱均匀化灯具
- 本发明公开了一种失配光谱均匀化灯具，包括：电路板；LED阵列，设置于电路板上，用于提供灯具工作时主要的光谱形态；发光元件，包括设置于LED阵列四周或间隙的特定波长光源，用于调整灯具的发光光谱，形成灯具表面的发光光谱均一化...
- 于飞李燕杨华王晓桐伊晓燕王军喜李晋闽
- 调制带宽增强的可见光通信光源及其制备方法
- 本公开提供一种调制带宽增强的可见光通信光源及其制备方法，其包括：外延片(10)；n型结构层(20)，位于所述外延片(10)上；三基色有源区(30)，位于所述n型结构层(20)上，为阵列排布的纳米柱，所述纳米柱之间填充绝缘...
- 王军喜冯梁森张宁李晋闽
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- 一种基于非晶衬底的氮化物薄膜结构及其制备方法
- 一种非晶衬底的氮化物薄膜结构及其制备方法，该氮化物薄膜结构包括：一非晶衬底；一石墨烯缓冲层；一纳米结构支撑层；一氮化物薄膜。该非晶衬底的氮化物薄膜结构的制备方法包括：提供一非晶衬底；将石墨烯转移到非晶衬底上；利用化学气相...
- 伊晓燕王蕴玉刘志强梁萌王兵任芳尹越王军喜李晋闽
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- 氮化镓基紫外与深紫外LED关键技术
- 郝跃李培咸林科闯李晋闽张国华王军喜马晓华闫建昌蔡伟智高英张进成武帅李水清刘喆魏同波
- 本世纪以来，半导体发光二极管（LED)的进步和发展引发了能源产业、照明产业和环保产业的重大变革，催生出了新的技术和应用，包括绿色照明和紫外光源的革命。紫外LED是指发光波长400纳米(nm)以下的LED,深紫外LED的发...
- 关键词：
- 关键词：半导体发光二极管紫外光源氮化镓基材料
- 红外探测器及其制备方法
- 本公开提供一种红外探测器及其制备方法，该红外探测器包括：衬底，设置于衬底上的势垒绝缘缓冲层，以及至少一个叠层单元，该至少一个叠层单元均匀设置于势垒绝缘缓冲层上，每个叠层单元均包括：超晶格吸收区，设置于势垒绝缘缓冲层上的中...
- 贾春阳张逸韵伊晓燕王军喜李晋闽
- LED共晶焊方法
- 一种共晶焊方法，包括如下步骤：步骤1：在基板上表面制作线路；步骤2：将钢网图形与基板上表面线路对准，并固定钢网和基板；步骤3：将LED芯片摆放于基板上表面钢网的图形中；步骤4：对LED芯片加压；步骤5：对基板进行加热，完...
- 郑怀文杨华卢鹏志李璟伊晓燕王军喜王国宏李晋闽
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