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李晓兵

作品数：9 被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 5篇分子束
  • 5篇分子束外延
  • 3篇气态源分子束...
  • 3篇半导体
  • 3篇GSMBE
  • 3篇GSMBE生...
  • 2篇氮化镓
  • 2篇磷化铟
  • 2篇GAINP
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化物
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇多量子阱
  • 1篇多量子阱材料
  • 1篇压电
  • 1篇压电效应
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子浓度
  • 1篇砷化铟

机构

  • 9篇中国科学院

作者

  • 9篇李晓兵
  • 8篇孔梅影
  • 6篇曾一平
  • 6篇孙殿照
  • 6篇朱世荣
  • 4篇王晓亮
  • 3篇黄运衡
  • 2篇李晋闽
  • 2篇林兰英
  • 2篇李建平
  • 2篇李灵霄
  • 2篇袁瑞霞
  • 2篇张剑平
  • 1篇王军喜
  • 1篇董建荣
  • 1篇侯洵
  • 1篇王占国
  • 1篇胡国新
  • 1篇刘宏新
  • 1篇李灵肖

传媒

  • 5篇Journa...
  • 2篇高技术通讯

年份

  • 1篇2000
  • 2篇1998
  • 1篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1992
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
高温微电子器件用GSMBE氮化物材料
孙殿照王晓亮王军喜胡国新刘宏新朱世荣张剑平李晓兵刘成海黄运衡曾一平李晋闽孔梅影林兰英
该项目为GSMBE技术，是MBE技术的一种，根据所使用的气体不同可 分为使用氨气的NH_3-MBE和使用氮气等离子体的RF-MBE。前者依靠热分解把氨分子分解成氮原子，而后者则利用射频电磁场将氮分子裂解成氮原子。该课题使...
关键词：
关键词：微电子GSMBE氮化物
MOCVD和GSMBE生长Ga_（0．5）In_（0．5）P外延层中有序结构的研究被引量：2
1996年
用ＭＯＣＶＤ在（１００）、ＧＳＭＢＥ在（１００）和（１１１）ＢＧａＡｓ上生长了ＧａＩｎＰ外延层．ＰＬ测试表明，（１００）衬底上ＧａＩｎＰＰＬ峰的能量比计算的带隙分别小４３（ＧＳＭＢＥ生长）和１０４ｍｅＶ（ＭＯＣＶＤ生长）．用Ｋｕｒｔｚ等人的模型对ＭＯＣＶＤ和ＧＳＭＢＥ生长的ＧａＩｎＰ中有序度的不同进行了解释．并讨论了衬底晶向对ＧａＩｎＰ中有序程度的影响．
董建荣李晓兵孙殿照陆大成李建平孔梅影王占国
关键词：MOCVDGSMBE
GaN材料的GSMBE生长被引量：1
1997年
在国内首次用NH3作氮源的GSMB方法在α－Al2O3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0．5μm／h。GaN外延膜的（0002）双晶X射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8arcmin，霍尔迁移率为50cm2／V．s。对质量好的GaN膜，室温阴极发光谱上只有一个强而锐的近带边发光峰，谱峰位于372nm处，谱峰半高宽为14nm（125meV）。
王晓亮孙殿照李晓兵黄运衡朱世荣曾一平李晋闽孔梅影林兰英
关键词：氮化镓分子束外延蓝宝石半导体
气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料被引量：1
1996年
本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果．材料是ＧａＡｓ（１００）衬底上外延的晶格匹配的Ｉｎｙ（Ｇａ１－ｘＡｌｘ）１－ｙＰ（ｘ＝０～１，ｙ＝０．５），ＩｎＧａＰ／ＩｎＡｌＰ多量子阱；在ＩｎＰ（１００）衬底上外延的ＩｎＰ，晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ以及ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ／ＩｎＡｓＰ多量子阱，ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡＳＨＥＭＴ等．外延实验是用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统做的．
袁瑞霞阎春辉国红熙李晓兵朱世荣曾一平李灵霄孔梅影
关键词：磷化铟砷化铟分子束外延
气态源分子束外延Ⅲ-Ⅴ族可见光半导体材料及其性质研究
该文利用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了GaN薄膜,GaInP/AlGaInP材料及AlGaInP激光器结构,并对材料的结构性能、电学、光学性质进行了系统的研究,取得了如下主要结果:一、GSMBE生长GaN薄膜及...
李晓兵
关键词：GAN薄膜结构性能电学性质光学性质
GaN压电效应对载流子浓度的影响
1998年
在ＮＨ３源ＧＳＭＢＥ生长的ＧａＮ中观察到较大的双轴张应变．随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽，Ｈａｌ测试得到的背景电子浓度增大．本文应用ＧａＮ的压电效应对此进行了解释．
张剑平王晓亮孙殿照李晓兵付荣辉孔梅影
关键词：半导体氮化镓压电效应载流子浓度
InGaAs／InP超晶格材料的GSMBE生长研究被引量：2
1995年
在国产第一台ＣＢＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）设备上，用ＧＳＭＢＥ（Ｇａｓｓｏｕｒｃｅｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）技术在国内首次研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长，用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料，并用双晶Ｘ－射线衍射技术对样品进行了测试和分析．结果表明，我们在国产第一台ＣＢＥ设备上用ＧＳＭＢＥ技术采用非对称切换方法生长的超晶格材料质量很好．
孙殿照王晓亮李晓兵国红熙阎春辉李建平朱世荣李灵霄曾一平孔梅影侯洵
关键词：INGAAS磷化铟超晶格材料GSMBE生长
金属有机源分子束外延(MOMBE)生长GaAs
1992年
阎春辉孙殿照国红熙朱世荣黄运衡李晓兵曾一平孔梅影
关键词：分子束半导体砷化镓
气态源分子束外延（AlGa）InP和GaInP／AlInP多量子阱材料被引量：1
1994年
我们用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统，采用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）技术研制了与ＧａＡｓ匹配的，性能良好的（ＡｌＧａ）ＩｎＰ材料和ＧａｌｎＰ／ＡｌＩｎＰ多量子阱材料．对这些材料进行了霍耳，光致发光（ＰＬ），阴极荧光（ＣＬ）以及Ｘ射线双晶衍射（ＸＲＤ）等测量分析．
袁瑞霞阎春辉国红熙李晓兵朱世荣李灵肖曾一平孔梅影
关键词：可见光激光器分子束外延
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