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程新红
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187
被引量:61
H指数:4
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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俞跃辉
中国科学院上海微系统与信息技术...
徐大伟
中国科学院研究生院
郑理
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王中健
中国科学院研究生院
夏超
中国科学院研究生院
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俞跃辉
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI 离子注入 石墨烯 金属 功率器件
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徐大伟
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI 介质薄膜 栅极 光刻胶 金属
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郑理
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:外延层 石墨烯 增强型 金属电极 金属
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王中健
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI 石墨烯 介质薄膜 离子注入 漂移
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夏超
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI 介质薄膜 金属 离子注入 漂移
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宋朝瑞
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI材料 SOI SOI_LDMOS 介质薄膜 自加热效应
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曹铎
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:石墨烯 介质薄膜 漂移 掩膜版 沟道
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沈玲燕
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:石墨烯 金属电极 重掺杂 源区 电极
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王谦
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:石墨烯 金属电极 重掺杂 源区 功率器件
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张栋梁
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:石墨烯 金属电极 重掺杂 源区 功率器件
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