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顾炯

作品数：5 被引量：3H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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合作作者

领域

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地区

  • 7个江苏省
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共 8 条 记 录，以下是 1-8
林金庭
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 MMIC 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
盛文伟
供职机构：信息产业部
研究主题：砷化镓 离子注入 非晶硅 发射极 异质结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王福臣
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 单片 功率放大器 场效应晶体管 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈克金
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 C波段 MESFET 单片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李祖华
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 场效应晶体管 MESFET 可靠性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋幼泉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毛昆纯
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 MMIC CAD模型 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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