毛昆纯
- 作品数：6 被引量：7H指数：2
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- 砷化镓微波单片集成电路(MMIC)技术进展
- 着重讨论南京电子器件研究所(NEDI)在GaAs MMIC研制方面的近期进展。在详细介绍MMIC有源器件（MESFET，PHEMT及HBT）的CAD模型建立技术及MMIC CAD设计优化技术的基础上，以NEDI近年开发的...
- 陈效建毛昆纯林金庭杨乃彬
- 关键词：砷化镓微波单片集成电路CAD模型优化设计
- 文献传递
- GaAs数字单片电路的计算机模拟
- 1990年
- 本文在开发并确立通用电路分析程序SPICE3A7的GaAs MESFET模型及相应模型参数提取方法的基础上,对GaAs MESFET器件及相关BFL.单元电路进行了直流和瞬态的计算机模拟和部分优化,取得了较好结果;并对研制中的分频器电路设计进行了计算机研究.
- 徐世晖沈祥骥毛昆纯余志平
- 关键词：数字电路GAAS单片计算机模拟
- GaAs高温栅全平面离子注入技术研究及运算放大器差分输入电路的实现
- 1990年
- 为适应军用毫米波和潜在商用的发展,Varian公司研制了新的毫米波宽带放大器.以前的W频段(75～110GHz)雷达、通讯和监视系统存在不少缺点,部分原因是由于它们采用混合集成电路.而MMIC技术能把多种电路集成在一个芯片上.Varian公司研制了分布式宽带5～100GHz MMIC,单级平均增益超过5.OdB.
- 李拂晓林金庭毛昆纯余志平
- 关键词：GAAS离子注入运算放大器
- GaAs自对准高温栅全离子注入运放差分输入电路研究
- 1991年
- 本文主要从事GaAs自对准高温栅全离子注入技术(SAG)的研究,并以此工艺为基础,制作了WSi_xN_y/GaAs SBD,栅长分别是0.8μm和0.5μm的MESFET和GaAs.高速运算放大器差分输入电路.其中制造的耗尽型MESFET,栅长0.8μm,栅宽25μm,夹断电压V_P=-2.5V,跨导gm达170mS/mm栅宽,饱和压降V_(dss)仅0.7V,漏源击穿电压BV_(dx)达6V.制造的GaAs运放差分输入电路,最大直流增益30dB,在1GHz下仍有29dB的增益,平均直流增益22dB,输入失偏较小,电源8～12V可调,其性能达国外1985年实验室研制水平.在电路设计中,采用SPICE3a7程序,成功地进行了GaAs差分输入电路模拟和设计.
- 李拂晓林金庭毛昆纯余志平
- 关键词：MESFETGAAS离子注入
- 砷化镓微波单片集成电路(MMIC)技术进展被引量：5
- 2000年
- 着重讨论南京电子器件研究所（NEDI）在GaAsMMIC研制方面的近期进展。在详细介绍MMIC有源器件（MESFET，PHEMT及HBT）的CAD模型建立技术及MMICCAD设计优化技术的基础上，以NEDI近年开发的各种MMIC为实例，包括发射、接收与控制三类电路，给出有关的实验结果。此外，简要介绍了NEDI在移动通信手机用MMIC技术开发方面的前期结果。
- 陈效建毛昆纯林金庭杨乃彬
- 关键词：砷化镓微波单片集成电路CAD模型
- GaAs亚微米自对准工艺技术研究被引量：2
- 1994年
- 总结了在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究，着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好，在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的ＧａＡｓＩＣ和ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ，证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国ＧａＡｓＩＣ确实具有重大意义。
- 陈克金顾炯盛文伟毛昆纯林金庭
- 关键词：自对准离子注入砷化镓
