- S波段振荡用大功率GaAs FET的设计和研制
- 1993年
- 本文叙述了S波段振荡用大功率GaAs FET的设计考虑、结构和制作,给出了器件性能。在3GHz下,器件振荡输出功率为3.34W,直流—射频转换效率为47.4％。
- 华培忠王福臣翁瑞钟志新马跃梁波杨玉昌
- 关键词：砷化镓场效应晶体管
- 3.5WS波段振荡用大功率GaAs FETs
- 1992年
- GaAs FET已广泛用来制作各种振荡器,应用于各类整机系统中。为满足整机应用的需要,南京电子器件研究所已研制出S波段振荡用大功率GaAs FET。主要技术指标为,在S波段,振荡输出功率≥2.5W,直流—射频转换效率≥30％。最好器件输出功率达3.5W。 为合理利用器件自身的寄生电抗作反馈元件。以实现振荡电路简单化,并有利于提高振荡频率,器件采用共漏工作模式。器件单胞FET的栅宽为2mm。包含10条200μm的栅指。
- 华培忠翁瑞王福臣钟志新
- 关键词：振荡器波段大功率
- GaAs单片微波开关
- 本文介绍了改进后的开关MESF ET等效电路模型及其单片开关电路的设计方法和工艺实现。研制出的调配型单刀单掷开关在0.01～7GHz插损为2～3.5dB,隔离度不小于32dB,分布型单刀双掷开关在4.5～7GHz,插损为...
- 冯坤王福臣过常宁
- 文献传递
- 两级GaAs单片功率放大器
- 1990年
- GaAs单片功率放大器是70年代末发展起来的.它可在卫星接收系统中作为后级放大;可作为VCO的后续放大器,从而组成新型的微波固态源;可用于无人值守微波中继站及雷达与其它电子工程中.这一广阔的应用前景使GaAs单片功放的研究引起了国内外的极大重视.本文在研究GaAs MESFET模型参数的提取拟合。
- 顾炯陈硕颀王福臣过常宁林金庭
- 关键词：功率放大器单片GAAS
- X波段GaAs单片压控振荡器
- 1990年
- 本工作的GaAs单片压控振荡器其振荡电路选择了GaAs场效应管作为有源器件,平面肖特基势垒变容二极管(Planar Schottkey Varactor Diode,简称PSVD)作为调谐元件.这种变容管的最大特点是它的工艺与GaAs FET的工艺相容,设计也比较灵活,改变阳极指的长度和宽度就能改变电容比和电容量.但是在有源层临近夹断时,其串联电阻迅速变大,
- 梁波林金庭夏先齐王福臣杨玉昌
- 关键词：GAAS单片压控振荡器
- 全离子注入C波段功率单片放大器及内匹配功率单片放大器
- 1997年
- 报道了全平面C波段功率单片放大器及四单片合成放大器研究结果。单片放大器采用全离子注入工艺，均匀性好，平均成品率40％，可靠性高。工作频率4．7—5．2GHZ，中心频率5．0GHz处输出功率2．5W，增益15dB，功率附加效率31．5％。单片放大器芯片面积2．8mm×2．0mm，四路合成的4×MMIC频率范围不变，中心频率4．95GHz处输出功率8．2W，增益13dB，功率附加效率26％，四路合成效率接近80％。实验结果与理论预测基本吻合。
- 宋山松王福臣陈克金陈堂胜蒋幼泉林金庭
- 关键词：微波集成电路功率FET内匹配功率放大器
- S频段大功率振荡用砷化镓场效应晶体管的微波性能
- 1992年
- 对WC76型S频段大功率振荡用砷化镓场效应晶体管的微波性能作了介绍。文中给出了测试振荡器的设计。测试结果表明,WC76型振荡管在s频段的微波性能良好,振荡频率在3GHz左右时,输出功率可达3.5w,直流—射频转换效率可达44％,而且在2～4GHz的整个S频段均能满意地工作。
- 王福臣
- 关键词：砷化镓场效应晶体管微波振荡器
- 供混合微波集成电路用的直流偏压电路的研究被引量：6
- 1991年
- 使用现有的微波电路CAD软件,对几种微带直流偏压电路进行了优化设计,并用HP8510网络分析仪测试了所设计的这几种偏压电路的性能.结果表明,经过优化设计,这几种偏压电路的工作带宽均可达到倍频程以上.
- 王福臣
- 关键词：微波集成电路
- X波段GaAs单片压控振荡器
- 1991年
- 本文报告了X波段GaAs单片压控振荡器的设计和制作,电路设计采用小信号CAD分析程序,能准确地预计振荡频率,同时利用特殊工艺途径提高了变容管Q值.单片电路调谐范围是9.3～11.6GHz,输出功率大于10dBm.
- 梁波林金庭夏先齐王福臣杨玉昌
- 关键词：压控振荡器X波段GAAS振荡器
- 两级GaAs单片功率放大器被引量：1
- 1991年
- 本文报道了两级GaAs单片功率放大器的设计和制作,着重介绍了利用MESFET的小信号模型和直流负载特性设计MESFET在大信号状态下的最佳功率匹配的方法,该方法大大简化了放大器匹配电路的设计.制作在1.9×0.9mm GaAs外延片上的两级放大器,1dB带宽800MHz(670～1470MHz)频带内,最大小信号增益24dB,最大输出功率300mW.功率附加效率17.8%.
- 顾炯陈硕颀王福臣过常宁林金庭
- 关键词：功率放大器GAAS单片
