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顾炯

作品数：5 被引量：3H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 4篇GAAS
  • 3篇单片
  • 3篇单片功率放大...
  • 3篇砷化镓
  • 3篇功率放大
  • 3篇功率放大器
  • 3篇放大器
  • 1篇单片电路
  • 1篇电路
  • 1篇亚微米
  • 1篇移动通信
  • 1篇通信
  • 1篇自对准
  • 1篇自对准工艺
  • 1篇微米
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇离子注入
  • 1篇晶片
  • 1篇刻蚀
  • 1篇反应离子

机构

  • 5篇南京电子器件...

作者

  • 5篇顾炯
  • 3篇林金庭
  • 2篇陈克金
  • 2篇王福臣
  • 2篇盛文伟
  • 1篇蒋幼泉
  • 1篇毛昆纯
  • 1篇陈堂胜
  • 1篇李祖华

传媒

  • 5篇固体电子学研...

年份

  • 1篇1997
  • 2篇1994
  • 1篇1991
  • 1篇1990
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
用于移动通信的GaAs单片功率放大器
1997年
简介了移动电话单片功率放大器的设计、制作，给出了电路拓扑和版图．该三级放大电路在800－900MHz内，小信号增益＞35dB，饱和输出功率＞32dBm，效率＞34%。采用50mm全高于注入全平面干法工艺，均匀性、重复性好，工艺成品率高。
顾炯陈克金蒋幼泉李祖华陈堂胜
关键词：砷化镓单片电路功率放大器移动通信
两级GaAs单片功率放大器
1990年
GaAs单片功率放大器是70年代末发展起来的.它可在卫星接收系统中作为后级放大;可作为VCO的后续放大器,从而组成新型的微波固态源;可用于无人值守微波中继站及雷达与其它电子工程中.这一广阔的应用前景使GaAs单片功放的研究引起了国内外的极大重视.本文在研究GaAs MESFET模型参数的提取拟合。
顾炯陈硕颀王福臣过常宁林金庭
关键词：功率放大器单片GAAS
GaAs亚微米自对准工艺技术研究被引量：2
1994年
总结了在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究，着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好，在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的ＧａＡｓＩＣ和ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ，证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国ＧａＡｓＩＣ确实具有重大意义。
陈克金顾炯盛文伟毛昆纯林金庭
关键词：自对准离子注入砷化镓
利用反应离子刻蚀实现GaAs晶片通孔工艺被引量：1
1994年
贯穿晶片的背面通孔已成为ＧａＡｓＭＭＩＣ和功率ＭＥＳＦＥＴ的有效接地方式。本文介绍了利用Ｃｌ２／ＳｉＣｌ４作为反应气体，以正性光刻胶为掩模的反应离子刻蚀背孔工艺。利用该工艺刻蚀出的深孔具有倾斜的剖面和光滑的侧壁，孔的横向侧蚀小，在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上获得了良好的均匀性和重复性。
顾炯盛文伟
关键词：反应离子刻蚀刻蚀砷化镓晶片
两级GaAs单片功率放大器被引量：1
1991年
本文报道了两级GaAs单片功率放大器的设计和制作,着重介绍了利用MESFET的小信号模型和直流负载特性设计MESFET在大信号状态下的最佳功率匹配的方法,该方法大大简化了放大器匹配电路的设计.制作在1.9×0.9mm GaAs外延片上的两级放大器,1dB带宽800MHz(670～1470MHz)频带内,最大小信号增益24dB,最大输出功率300mW.功率附加效率17.8%.
顾炯陈硕颀王福臣过常宁林金庭
关键词：功率放大器GAAS单片
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