- C波段4W砷化镓功率场效应晶体管被引量：1
- 1995年
- 介绍了Ｃ波段４Ｗ砷化镓功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些新工艺，给出器件性能。在５．３ＧＨＺ下，器件１ｄＢ压缩点的输出功率≥４Ｗ，增益为６．５～７．５ｄＢ，功率附加效率≥３５％。这种ＦＥＴ的多芯片运用具有优良的功率合成效率。
- 蒋幼泉陈堂胜李祖华陈克金盛文伟
- 关键词：砷化镓离子注入功率场效应晶体管
- C波段8W、16W功率砷化镓场效应晶体管
- 陈克金盛文伟顾炯傅炜李祖华
- 该成果研制过程突破了下列创新工艺技术：用全离子注入技术，在Φ50毫米的半绝缘砷化镓衬底上形成有源层，从而确保有源层的均匀性；采用扩散阻挡层的欧姆接触，避免了功率砷化镓场效应晶体管欧姆接触退化问题；采用0.5微米“r”型栅...
- 关键词：
- 关键词：砷化镓晶体管微波通信场效应C波段
- 氧化非晶硅发射极微波晶体管近期进展
- 1989年
- 当前,随着分子束外延和金属有机化学汽相淀积两种异质结工艺技术的日趋完善,化合物半导体材料的HBT器件其高频性能不断提高。据报道,GaAs/GaAlAs HBT器件的特征频率f_T已提高到105GHz,用GaAs/GaAlAs制成的环形振荡器其每门的传输延迟时间为5.5ps(室温下),功耗为20mW,这是目前最快的半导体三端开关器件。 在硅HBT器件研究中,近年来的报道集中在a-Si/c-Si异质结界面及其HBT的直流特性上,研究如何利用异质界面的高注入来获得尽可能高的电流增益和低的基区电阻。然而,直到目前仍未见到a-Si HBT高频性能的报道。本文首先报道采用氢化非晶硅发射极。
- 王因生熊承堃盛文伟张晓明汪建元茅保华朱恩均
- 关键词：微波晶体管氢化非晶硅发射极
- Si/a-Si:H异质结微波双极型晶体管实验研究
- 1989年
- 本文首次报道采用重掺杂的氢化非晶硅(n^+a-Si∶H)作发射极的硅微波双极型晶体管的制备和特性.该器件内基区方块电阻2kΩ/□,基区宽度0.1μm,共发射极最大电流增益21(V_(cB)=6V,I_c=15mA),发射极Gummel数G_B值已达1.4×10^(14)Scm^(-4).由S参数测得电流增益截止频率f_s=5.5GHz,最大振荡频率f_(max)=7.5GHz.在迄今有关Si/a-Si HBT的报道中,这是首次报道可工作于微波领域里的非晶硅发射极异质结晶体管.
- 王因生盛文伟汪建元张晓明熊承堃朱恩均
- 关键词：微波双极晶体管
- GaAs亚微米自对准工艺技术研究被引量：2
- 1994年
- 总结了在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究，着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻蚀、电阻和电容制备等关键工艺的研究结果。这套工艺的均匀性、重复性好，在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上获得了满意的成品率。采用这套工艺已成功地研制出多种性能良好的ＧａＡｓＩＣ和ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ，证明国家自然科学基金委员会这一重大课题的选择对发展我国ＧａＡｓＩＣ确实具有重大意义。
- 陈克金顾炯盛文伟毛昆纯林金庭
- 关键词：自对准离子注入砷化镓
- 利用反应离子刻蚀实现GaAs晶片通孔工艺被引量：1
- 1994年
- 贯穿晶片的背面通孔已成为ＧａＡｓＭＭＩＣ和功率ＭＥＳＦＥＴ的有效接地方式。本文介绍了利用Ｃｌ２／ＳｉＣｌ４作为反应气体，以正性光刻胶为掩模的反应离子刻蚀背孔工艺。利用该工艺刻蚀出的深孔具有倾斜的剖面和光滑的侧壁，孔的横向侧蚀小，在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上获得了良好的均匀性和重复性。
- 顾炯盛文伟
- 关键词：反应离子刻蚀刻蚀砷化镓晶片
- 低电压高效率非晶硅发射极异质结UHF功率晶体管被引量：2
- 1991年
- 本文报道了利用重掺杂氢化非晶硅作宽禁带发射极材料的低电压硅异质结UHF功率晶体管的实验结果.制备的器件在9伏电压、工作频率470MHz下,输出连续波功率4W,功率增益8.2dB,集电极效率72％.在迄今有关非晶硅发射极HBT的报道中。这是首次详细报道可工作于UHF频率的低电压非晶硅发射极异质结功率晶体管.文中还讨论了这种异质结构的低压功率器件的设计和制备应考虑的一些问题,并提出一些解决办法.
- 王因生盛文伟张晓明王晓雯
- 关键词：功率晶体管非晶硅异质结UHF
- 用PECVD法制备非晶态GaP薄膜
- 1990年
- 非晶态半导体材料是一种新型的电子材料,由于它具有特殊的物理性质,使非晶态半导体研究成为较热门的课题之一.对氢化非晶硅(α-Si:H),非晶锗(α-Ge)及非晶态硫系材料的研究已进入较深入的阶段,并应用于器件制作.但对非晶态Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,由于其结构无序和化学无序同时存在,给研究工作带来很大困难,对它们的研究仅限于物理性质的探索.
- 徐剑虹盛文伟熊承堃朱恩均陈坤基
- 关键词：非晶态PECVD法
