张晓明
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 氧化非晶硅发射极微波晶体管近期进展
- 1989年
- 当前,随着分子束外延和金属有机化学汽相淀积两种异质结工艺技术的日趋完善,化合物半导体材料的HBT器件其高频性能不断提高。据报道,GaAs/GaAlAs HBT器件的特征频率f_T已提高到105GHz,用GaAs/GaAlAs制成的环形振荡器其每门的传输延迟时间为5.5ps(室温下),功耗为20mW,这是目前最快的半导体三端开关器件。 在硅HBT器件研究中,近年来的报道集中在a-Si/c-Si异质结界面及其HBT的直流特性上,研究如何利用异质界面的高注入来获得尽可能高的电流增益和低的基区电阻。然而,直到目前仍未见到a-Si HBT高频性能的报道。本文首先报道采用氢化非晶硅发射极。
- 王因生熊承堃盛文伟张晓明汪建元茅保华朱恩均
- 关键词：微波晶体管氢化非晶硅发射极
- Si/a-Si:H异质结微波双极型晶体管实验研究
- 1989年
- 本文首次报道采用重掺杂的氢化非晶硅(n^+a-Si∶H)作发射极的硅微波双极型晶体管的制备和特性.该器件内基区方块电阻2kΩ/□,基区宽度0.1μm,共发射极最大电流增益21(V_(cB)=6V,I_c=15mA),发射极Gummel数G_B值已达1.4×10^(14)Scm^(-4).由S参数测得电流增益截止频率f_s=5.5GHz,最大振荡频率f_(max)=7.5GHz.在迄今有关Si/a-Si HBT的报道中,这是首次报道可工作于微波领域里的非晶硅发射极异质结晶体管.
- 王因生盛文伟汪建元张晓明熊承堃朱恩均
- 关键词：微波双极晶体管
- 脉冲法测试静电感应晶体管极间电容
- 1990年
- 求解S1T对阶跃信号的响应,寻找出各极间电容对上升时间t_r的影响,以此为基础,推算各极间电容,分离出器件线性区的C_(GS)、C_(GD)。实测表明,在器件沟道夹断后,C_(GS)随I_D的上升而略有增加,而不是常规测试的恒定值。
- 张晓明
- 关键词：静电感应晶体管
- 硅高压功率JFET开关性能
- 1990年
- 本文介绍一种垂直沟道结型场效应晶体管.给出器件的电参数、线性区等效电路、开关参数的测试电路及一些测试结果.对器件的开关参数进行了初步分析与计算.指出,器件的通态电阻R_(on)是涉及本器件开关性能的一个重要参数.最后,给出一例高速脉冲放大器的实际电路.
- 张晓明王因生
- 关键词：JFET开关器件场效应晶体管
- 低电压高效率非晶硅发射极异质结UHF功率晶体管被引量：2
- 1991年
- 本文报道了利用重掺杂氢化非晶硅作宽禁带发射极材料的低电压硅异质结UHF功率晶体管的实验结果.制备的器件在9伏电压、工作频率470MHz下,输出连续波功率4W,功率增益8.2dB,集电极效率72％.在迄今有关非晶硅发射极HBT的报道中。这是首次详细报道可工作于UHF频率的低电压非晶硅发射极异质结功率晶体管.文中还讨论了这种异质结构的低压功率器件的设计和制备应考虑的一些问题,并提出一些解决办法.
- 王因生盛文伟张晓明王晓雯
- 关键词：功率晶体管非晶硅异质结UHF
