茅保华
- 作品数：9 被引量：6H指数：1
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家攀登计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 接触电阻率测量方法的研究被引量：3
- 1990年
- 对于金属-半导体欧姆接触,本文介绍了两种接触电阻率的测量方法:两直径法和回归分析法,测量结果较准确.对同一样品,用多种方法测显,比较其结果并对各种测量方法进行了评述.
- 茅保华盛永喜鲍希茂
- 关键词：金属-半导体接触电阻率测量法
- AuGeNi/n—InP欧姆接触研究
- 1990年
- 本文对金属—n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体欧姆接触的接触电阻进行了理论分析,研究了AuGeNi/n-InP欧姆接触的电学特性、冶金性质和组分分布,其最佳工艺条件已用于器件制造.
- 盛永喜茅保华鲍希茂
- 关键词：欧姆接触接触电阻
- SiO_2全封闭的硅量子线列阵
- 1995年
- 采用硅工艺的反应离了刻蚀、各向异性化学腐蚀、热氧化和超低压化学气相淀积生长技术，成功地在硅单晶衬底上制作了ＳｉＯ２全封闭结构的硅量产线列阵．扫描电镜观察清楚地显示了这种高质量的量子线结构．实验表明，通过热氧化过程可以非常有效地控制量子线的尺寸．
- 施毅刘建林汪峰张荣韩平余是东张学渊顾书林胡立群茅保华郑有
- 关键词：二氧化硅硅量子线化合物半导体
- Si/SiO_2异质界面的超精细硅量子线被引量：1
- 1995年
- 作为半导体科学技术研究前沿领域的硅低维量子结构,它无论在低维物理基础研究,还是在技术应用上,都具有十分重要的意义.硅量子线作为纳米电子学的基础,将发展实现特大规模集成电路和开拓新一代硅量子效应的器件;同时,这种人工设计的一维微结构材料的能带结构不同于天然硅材料,可望获得高的发光效率,用于发展硅基集成光电子技术.
- 施毅刘建林汪峰张荣韩平朱顺明郑有斗茅保华
- 关键词：硅二氧化硅
- 氧化非晶硅发射极微波晶体管近期进展
- 1989年
- 当前,随着分子束外延和金属有机化学汽相淀积两种异质结工艺技术的日趋完善,化合物半导体材料的HBT器件其高频性能不断提高。据报道,GaAs/GaAlAs HBT器件的特征频率f_T已提高到105GHz,用GaAs/GaAlAs制成的环形振荡器其每门的传输延迟时间为5.5ps(室温下),功耗为20mW,这是目前最快的半导体三端开关器件。 在硅HBT器件研究中,近年来的报道集中在a-Si/c-Si异质结界面及其HBT的直流特性上,研究如何利用异质界面的高注入来获得尽可能高的电流增益和低的基区电阻。然而,直到目前仍未见到a-Si HBT高频性能的报道。本文首先报道采用氢化非晶硅发射极。
- 王因生熊承堃盛文伟张晓明汪建元茅保华朱恩均
- 关键词：微波晶体管氢化非晶硅发射极
- 锗硅基区异质结双极型晶体管(GeSi-HBT)的研制被引量：1
- 1992年
- GeSi/Si异质结构材料因其物理特性及其与硅平面工艺的相容性,是制备一系列高频、高速、低温器件的新型半导体材料,可用于通讯、雷达、遥感、计算机、低温电子学等领域。 南京大学与南京电子器件研究所合作,在国内首次研制出GeSi-HBT器件。该器件结构如图1所示。在N^+-Si(100)衬底上外延n-Si层作为集电区,采用快速辐射加热/超低压化学气相淀积(RRH/VLP-CVD)外延方法制备掺硼的GeSi基区,用PECVD方法生长掺磷的p-Si:H发射区。工艺上采取了一系列措施,完成了GeSi-HBT器件的制备。
- 韩平胡立群王荣华江若琏顾书林朱顺明张荣郑有炓茅保华傅义珠汪建元熊承堃
- 关键词：双极晶体管异质结
- 硅量子线的研究
- 1995年
- 利用常规硅工艺的反应离子刻蚀、各向异性化学腐蚀、热氧化和超低压ＣＶＤ生长技术，成功地在硅单晶衬底上制作了硅／二氧化硅异质界面结构超精细硅量子线。本项研究结果对开展低维量子结构物理及硅量子器件的研究具有十分重要的意义。
- 施毅刘建林汪峰张荣韩平顾树林郑有茅保华
- 关键词：量子线硅二氧化硅离子刻蚀量子器件
- 采用锗硅异质外延方法制备硅量子线
- 1996年
- 报道了一种采用锗硅异质外延制备硅量子线的新方法。在超低压化学气相淀积外延生长Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构基础上，采用光刻和反应离子刻蚀技术形成槽状图形，用选择腐蚀液进行选择化学腐蚀，获得Ｓｉ线阵列，最后通过湿氧、干氧氧化过程，成功实现了高质量Ｓｉ／ＳｉＯ２异质界面结构硅量子线。采用扫描电子显微镜对量子线形成特征进行了研究，并讨论了硅线的热氧化性质。
- 陆阳施毅刘建林汪峰张荣顾书林郑有茅保华谢中华
- 关键词：热氧化
- 用硅化物作注入阻挡层形成浅结被引量：1
- 1993年
- 本文介绍一种在n型Si衬底上制备浅p^+-n结的方法。在Si衬底上通过固相反应形成一定厚度的TiSi_2薄膜后,穿过TiSi_2层进行离子注入掺杂,经快速热退火可形成浅P^+-n结。TiSi_2薄膜既作为离子注入时的阻挡层,减小离子注入深度,又作为器件的电极及互联引线。这是一种自对准工艺。
- 鲍希茂严海茅保华
- 关键词：半导体器件P-N结离子注入硅化物
