您的位置： 专家智库 > >

张荣桂

作品数：9 被引量：14H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 15个电子电信
  • 3个电气工程
  • 3个自动化与计算...
  • 3个理学
  • 2个机械工程
  • 2个文化科学
  • 1个化学工程
  • 1个金属学及工艺
  • 1个航空宇航科学...
  • 1个农业科学
  • 1个一般工业技术
  • 1个兵器科学与技...

主题

  • 12个分子束
  • 12个分子束外延
  • 12个场效应
  • 10个生长温度
  • 9个砷化镓
  • 9个量子
  • 9个晶体管
  • 7个生长速率
  • 7个子线
  • 7个自组织生长
  • 7个微电子
  • 7个微电子学
  • 7个量子线
  • 6个导体
  • 6个纳米
  • 5个氮化镓
  • 5个电路
  • 5个电子器件
  • 4个电流
  • 4个纳米级

机构

  • 10个中国电子科技...
  • 6个河北半导体研...
  • 6个中国电子科技...
  • 5个信息产业部
  • 4个吉林大学
  • 3个中国科学院
  • 2个机电部
  • 1个大连理工大学
  • 1个复旦大学
  • 1个东南大学
  • 1个吉林师范大学
  • 1个兰州大学
  • 1个南京邮电大学
  • 1个天津大学
  • 1个厦门大学
  • 1个电子工业部
  • 1个中电集团
  • 1个中国电子科技...
  • 1个中华人民共和...
  • 1个中国科学院长...

资助

  • 5个国家高技术研...
  • 4个国防科技技术...
  • 4个国家自然科学...
  • 2个国防科技重点...
  • 2个国家重点基础...
  • 2个教育部留学回...
  • 2个国家重点实验...
  • 2个吉林省科委资...
  • 1个福建省自然科...
  • 1个国家科技攻关...
  • 1个吉林大学青年...
  • 1个吉林省科技发...
  • 1个吉林省自然科...
  • 1个国家教育部博...
  • 1个吉林省教育厅...
  • 1个吉林省教育厅...
  • 1个吉林省教育厅...
  • 1个吉林省科技厅...
  • 1个吉林省青年科...
  • 1个江苏省高校自...

传媒

  • 12个半导体情报
  • 9个半导体技术
  • 7个固体电子学研...
  • 5个第六届全国分...
  • 4个光电子．激光
  • 4个Journa...
  • 4个功能材料与器...
  • 4个半导体光电
  • 4个第五届全国分...
  • 3个东南大学学报...
  • 3个高技术通讯
  • 3个全国化合物半...
  • 3个第十五届全国...
  • 2个高等学校化学...
  • 2个科学通报
  • 2个物理学报
  • 2个中国激光
  • 2个红外与毫米波...
  • 2个发光学报
  • 2个电子科学学刊

地区

  • 11个河北省
  • 2个北京市
  • 1个吉林省
共 17 条 记 录，以下是 1-10
张文俊
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：分子束外延 量子线 生长温度 生长速率 自组织生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁春广
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：微机械 光开关 砷化镓 GAAS 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
阎发旺
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：分子束外延 量子线 生长温度 生长速率 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李献杰
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：单片集成 量子阱红外探测器 INP/INGAAS INP OEIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫发旺
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：晶体质量 GAN基发光二极管 衬底 非极性 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
熬金平
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：场效应晶体管 分子束外延 量子线 微电子学 生长温度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘伟吉
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：GAAS_HBT HEMT 光接收机 OEIC 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾庆明
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：单片集成 光电探测器 砷化镓 场效应晶体管 INP/INGAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张文俊
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：场效应管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨红伟
供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题：氮化镓 半导体材料 退火
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0