张文俊
- 作品数：7 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- MBE生长InGaAs/AlGaAs量子线FET材料
- 本文介绍了采用自组织工艺法制备,InGaAs/GaAs量子线的工艺方法和原理,通过原子力显微镜和低温偏振光致发光表征了量子线的形貌结构和光学性质,研制了InGaAs/AlGaAs FET结构材料,并制作了FET器件.
- 张文俊闫发旺崔立奇
- 关键词：分子束外延生长光学特性
- 文献传递
- 高面指数GaAs衬底上自组织生长应变In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs量子线阵列
- 2001年
- 利用分子束外延（ＭＢＥ）技术在高面指数（５５３）Ｂ ＧａＡｓ衬底上自组织生长了应变Ｇａ０．８５Ｉｎ０．１５Ａｓ／ＧａＡｓ量子线阵列结构。通过原子力显微镜（ＡＦＭ）对 Ｇａ０．８５Ｉｎ０．１５Ａｓ外延层的表面形貌进行了观测。测试结果表明量子线的密度高达４×１０~５／ｃｍ。研究了量子线阵列样品的低温偏振光致发光谱（ＰＰＬ），发现其发光峰半高宽（ＦＷＨＭ）最小为 ９．２ ＭｅＶ，最大偏振度可达０．２２，这些测试结果表明制各出了高密度、高均匀性及特性良好的一维量子线阵列结构。
- 闫发旺张文俊张荣桂崔立奇梁春广刘式墉
- 关键词：分子束外延砷化镓自组织生长
- 分子束外延自组织生长量子线结构材料制备方法
- 本发明公开了一种分子束外延自组织生长量子线结构材料制备方法。它利用分子束外延技术和高面指数衬底本身不平整性的特点,在控制好一定的生长温度、元素蒸气压比、生长速率和生长时间等生长条件下,在分子束外延设备中自组织一次外延制备...
- 阎发旺张文俊张荣桂梁春广
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- 量子线场效应晶体管的制备方法
- 本发明公开了一种量子线场效应晶体管的制备方法。该方法具有工艺简单，可重复性强，制造成本低等特点。量子线结构材料是利用分子束外延设备，通过控制生长温度、元素蒸气压比、生长速率和生长时间等条件自组织实现的，它不涉及光刻、外延...
- 阎发旺梁春广张文俊李献杰张荣桂曾庆明熬金平刘伟吉
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- 量子线场效应晶体管结构材料及器件制备方法
- 本发明公开了一种量子线场效应晶体管结构材料及器件制备方法。该方法具有工艺简单,可重复性强,制造成本低等特点。量子线结构材料是利用分子束外延设备,通过控制生长温度、元素蒸气压比、生长速率和生长时间等条件自组织实现的,它不涉...
- 阎发旺梁春广张文俊李献杰张荣桂曾庆明熬金平刘伟吉
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- 分子束外延自组织生长量子线的制备方法
- 本发明公开了一种分子束外延自组织生长量子线的制备方法。它利用分子束外延技术和高面指数衬底本身不平整性的特点，在控制好一定的生长温度、元素蒸气压比、生长速率和生长时间等生长条件下，在分子束外延设备中自组织一次外延制备量子线...
- 阎发旺张文俊张荣桂梁春广
- 文献传递
- 纳米级掺杂超晶格的生长及其性质研究
- 1996年
- 评述了制备纳米级掺杂超晶格材料的ＭＢＥ技术，给出了材料性能和器件研制结果。从微结构设计出发，研究了平面掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ（Ｇａ）Ａｓ超晶格结构二维电子气有关性质，实验研究取得了重要的进展。
- 崔立奇张文俊
- 关键词：分子束外延二维电子气
