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崔立奇

作品数：5 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 2篇自组织
  • 2篇二维电子
  • 2篇二维电子气
  • 2篇HEMT
  • 1篇异质结
  • 1篇砷化镓
  • 1篇自组织生长
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米级
  • 1篇光学
  • 1篇光学特性
  • 1篇分子束外延生...
  • 1篇PHEMT
  • 1篇GA
  • 1篇GAAS衬底
  • 1篇INALAS
  • 1篇INP
  • 1篇MBE

机构

  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇中华人民共和...
  • 1篇吉林大学
  • 1篇信息产业部

作者

  • 5篇崔立奇
  • 3篇张文俊
  • 2篇闫发旺
  • 1篇刘式墉
  • 1篇梁春广
  • 1篇李效白
  • 1篇张荣桂

传媒

  • 2篇半导体情报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇第六届全国分...
  • 1篇第五届全国分...

年份

  • 2篇2001
  • 2篇1999
  • 1篇1996
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
高面指数GaAs衬底上自组织生长应变In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs量子线阵列
2001年
利用分子束外延（ＭＢＥ）技术在高面指数（５５３）Ｂ ＧａＡｓ衬底上自组织生长了应变Ｇａ０．８５Ｉｎ０．１５Ａｓ／ＧａＡｓ量子线阵列结构。通过原子力显微镜（ＡＦＭ）对 Ｇａ０．８５Ｉｎ０．１５Ａｓ外延层的表面形貌进行了观测。测试结果表明量子线的密度高达４×１０~５／ｃｍ。研究了量子线阵列样品的低温偏振光致发光谱（ＰＰＬ），发现其发光峰半高宽（ＦＷＨＭ）最小为 ９．２ ＭｅＶ，最大偏振度可达０．２２，这些测试结果表明制各出了高密度、高均匀性及特性良好的一维量子线阵列结构。
闫发旺张文俊张荣桂崔立奇梁春广刘式墉
关键词：分子束外延砷化镓自组织生长
MBE生长InGaAs/AlGaAs量子线FET材料
本文介绍了采用自组织工艺法制备,InGaAs/GaAs量子线的工艺方法和原理,通过原子力显微镜和低温偏振光致发光表征了量子线的形貌结构和光学性质,研制了InGaAs/AlGaAs FET结构材料,并制作了FET器件.
张文俊闫发旺崔立奇
关键词：分子束外延生长光学特性
文献传递
用于HEMT的应变In<,x>Ga<,1-x>As/InAlAs/InP异质结的MBE生长研究
张文俊崔立奇武一宾陈昊阎发旺
关键词：HEMT
HEMT的材料结构和二维电子气浓度的关系被引量：2
1999年
给出了ＨＥＭＴ和ＰＨＥＭＴ的数学－物理模型。系统地描述了材料的隔离层、平面调制掺杂层、势垒耗尽层等材料结构尺寸和异质结界面二维电子气浓度及器件沟道电流之间的相互关系。
李效白崔立奇张文俊贾海强
关键词：HEMTPHEMT异质结二维电子气MBE
纳米级掺杂超晶格的生长及其性质研究
1996年
评述了制备纳米级掺杂超晶格材料的ＭＢＥ技术，给出了材料性能和器件研制结果。从微结构设计出发，研究了平面掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ（Ｇａ）Ａｓ超晶格结构二维电子气有关性质，实验研究取得了重要的进展。
崔立奇张文俊
关键词：分子束外延二维电子气
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