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张荣桂

作品数：9 被引量：14H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 4篇专利

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 6篇分子束
  • 6篇分子束外延
  • 4篇生长速率
  • 4篇生长温度
  • 4篇子线
  • 4篇量子
  • 4篇量子线
  • 4篇场效应
  • 3篇自组织生长
  • 2篇砷化镓
  • 2篇微电子
  • 2篇微电子学
  • 2篇晶体管
  • 2篇分子束外延技...
  • 2篇场效应管
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇氮化镓
  • 1篇退火
  • 1篇自组织
  • 1篇光致

机构

  • 5篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇河北半导体研...
  • 1篇吉林大学
  • 1篇机电部

作者

  • 9篇张荣桂
  • 5篇梁春广
  • 5篇张文俊
  • 4篇阎发旺
  • 3篇闫发旺
  • 3篇李献杰
  • 2篇熬金平
  • 2篇刘伟吉
  • 2篇曾庆明
  • 1篇张会肖
  • 1篇武喜龙
  • 1篇刘式墉
  • 1篇崔立奇
  • 1篇张文俊
  • 1篇崔奇
  • 1篇杨红伟
  • 1篇张文俊
  • 1篇李安平

传媒

  • 3篇半导体情报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 2篇2003
  • 1篇2002
  • 4篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1993
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
高面指数GaAs衬底上自组织生长应变In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs量子线阵列
2001年
利用分子束外延（ＭＢＥ）技术在高面指数（５５３）Ｂ ＧａＡｓ衬底上自组织生长了应变Ｇａ０．８５Ｉｎ０．１５Ａｓ／ＧａＡｓ量子线阵列结构。通过原子力显微镜（ＡＦＭ）对 Ｇａ０．８５Ｉｎ０．１５Ａｓ外延层的表面形貌进行了观测。测试结果表明量子线的密度高达４×１０~５／ｃｍ。研究了量子线阵列样品的低温偏振光致发光谱（ＰＰＬ），发现其发光峰半高宽（ＦＷＨＭ）最小为 ９．２ ＭｅＶ，最大偏振度可达０．２２，这些测试结果表明制各出了高密度、高均匀性及特性良好的一维量子线阵列结构。
闫发旺张文俊张荣桂崔立奇梁春广刘式墉
关键词：分子束外延砷化镓自组织生长
半导体量子线场效应管研究现状及趋势被引量：6
2000年
综述了 - 族化合物半导体量子线场效应管的研究进展情况 ,阐述了量子线结构场效应管的制作工艺原理、制备方法、材料结构及器件的电学性能。指出了当前存在的工艺困难 ,并展望了进一步的发展趋势。
闫发旺张文俊张荣桂
分子束外延自组织生长量子线结构材料制备方法
本发明公开了一种分子束外延自组织生长量子线结构材料制备方法。它利用分子束外延技术和高面指数衬底本身不平整性的特点,在控制好一定的生长温度、元素蒸气压比、生长速率和生长时间等生长条件下,在分子束外延设备中自组织一次外延制备...
阎发旺张文俊张荣桂梁春广
文献传递
量子线场效应晶体管的制备方法
本发明公开了一种量子线场效应晶体管的制备方法。该方法具有工艺简单，可重复性强，制造成本低等特点。量子线结构材料是利用分子束外延设备，通过控制生长温度、元素蒸气压比、生长速率和生长时间等条件自组织实现的，它不涉及光刻、外延...
阎发旺梁春广张文俊李献杰张荣桂曾庆明熬金平刘伟吉
文献传递
MBE自组织方法生长InGaAs/AlGaAs量子线FET材料
2002年
利用分子束外延 (MBE)技术在高指数面 Ga As衬底上自组织生长了应变 In Ga As/Ga As量子线材料。原子力显微镜 (AFM)观测结果表明量子线的密度高达 4× 1 0 5/cm。低温偏振光致发光谱 (PPL)研究发现其发光峰半高宽 (FWHM)最小为 9.2 me V,最大偏振度可达 0 .2 2。以 Al Ga As为垫垒 ,In Ga As/Ga As量子线为沟道 ,成功制备了量子线场效应管 (QWR-FET)结构材料 ,并试制了器件 。
张文俊闫发旺崔奇张荣桂李献杰
关键词：MBE分子束外延场效应管
半绝缘砷化镓的PL谱及其质量表征被引量：1
1993年
对多批不同束源的LEC SI-GaAs进行了15K及变温、变激发光强的光致发光PL测量,并对不同PL峰值能量下PL强度随样品位置的变化进行了一维线性扫描和二维空间扫描。对三个能谱区的分析和讨论表明,PL测量可作为高性能微波GaAs FET及GaAs IC用衬底的无损评价方法。
张荣桂李安平
关键词：半绝缘砷化镓光致发光
分子束外延自组织生长量子线的制备方法
本发明公开了一种分子束外延自组织生长量子线的制备方法。它利用分子束外延技术和高面指数衬底本身不平整性的特点，在控制好一定的生长温度、元素蒸气压比、生长速率和生长时间等生长条件下，在分子束外延设备中自组织一次外延制备量子线...
阎发旺张文俊张荣桂梁春广
文献传递
量子线场效应晶体管结构材料及器件制备方法
本发明公开了一种量子线场效应晶体管结构材料及器件制备方法。该方法具有工艺简单,可重复性强,制造成本低等特点。量子线结构材料是利用分子束外延设备,通过控制生长温度、元素蒸气压比、生长速率和生长时间等条件自组织实现的,它不涉...
阎发旺梁春广张文俊李献杰张荣桂曾庆明熬金平刘伟吉
文献传递
氮化镓研制中的退火技术被引量：7
2001年
总结了 Ga N薄膜生长和器件制备中退火技术的应用情况 ,其中涉及退火工艺过程、作用机理以及由此产生的影响。
张会肖武喜龙杨红伟张荣桂
关键词：退火半导体材料氮化镓
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