闫发旺
- 作品数：30 被引量：35H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：教育部留学回国人员科研启动基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学理学金属学及工艺更多>>
- 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极
- 本发明公开了一种平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极，属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为非矩形的平行四边形，N型焊盘位于平行四边形的一个角上，N型条形电极自N型焊盘出发沿平行四边形边缘环绕一周，P型电极的焊盘...
- 孙莉莉闫发旺张会肖王军喜王国宏曾一平李晋闽
- 文献传递
- 非极性a面p型GaN:Mn薄膜的结构、形貌和铁磁性质
- 采用离子注入和快速退火技术制备了稀磁非极性a面p型GaN:Mn薄膜。通过高分辨X射线衍射、原子力显微镜和超导量子干涉仪等测试手段,对样品的结构、形貌和磁性质进行了分析。测试分析结果表明,在退火过程中生成了对样品的铁磁性质...
- 孙莉莉闫发旺张会肖王军喜曾一平王国宏李晋闽
- 关键词：稀磁半导体离子注入室温铁磁性
- 文献传递
- （553）B-InGaAs/GaAs锯齿势量子线的自组织生长、光学特性、电子结构及相关电子器件研究
- 该文详细研究了(553)B-GaAs衬底上InGaAs/GaAs锯齿势量子线的MBE自组织生长工艺、PL光学特性、应变分布、电子结构及相关的电子器件应用.利用原子力显微镜(AFM)研究了生长温度了厚GaAs缓冲层表面形貌...
- 闫发旺
- 关键词：自组织生长光学特性电子结构电子器件
- 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法
- 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法，包括：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上采用金属有机化合物气相沉积法生长氮化镓成核层，该氮化镓成核层为相变缓冲层；步骤3：在氮化镓成核层上生长非有意掺杂氮化镓层，该非有意掺杂氮化镓...
- 王兵李志聪王国宏闫发旺姚然王军喜李晋闽
- 干法刻蚀图形蓝宝石衬底提高GaN外延层的晶体质量
- 利用干法刻蚀(感应耦合等离子刻蚀,ICP)对蓝宝石衬底进行了干法刻蚀,研究了特定图形蓝宝石衬底对生长GaN外延层晶体质量的影响。原子力显微镜观察表明无掩膜直接ICP刻蚀后的蓝宝石衬底的表面更加平坦(RMS从0.170nm...
- 高海永闫发旺张扬王军喜曾一平李晋闽
- 关键词：半导体材料GAN外延层晶体质量蓝宝石衬底
- 文献传递
- 高面指数GaAs衬底上自组织生长应变In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs量子线阵列
- 2001年
- 利用分子束外延（ＭＢＥ）技术在高面指数（５５３）Ｂ ＧａＡｓ衬底上自组织生长了应变Ｇａ０．８５Ｉｎ０．１５Ａｓ／ＧａＡｓ量子线阵列结构。通过原子力显微镜（ＡＦＭ）对 Ｇａ０．８５Ｉｎ０．１５Ａｓ外延层的表面形貌进行了观测。测试结果表明量子线的密度高达４×１０~５／ｃｍ。研究了量子线阵列样品的低温偏振光致发光谱（ＰＰＬ），发现其发光峰半高宽（ＦＷＨＭ）最小为 ９．２ ＭｅＶ，最大偏振度可达０．２２，这些测试结果表明制各出了高密度、高均匀性及特性良好的一维量子线阵列结构。
- 闫发旺张文俊张荣桂崔立奇梁春广刘式墉
- 关键词：分子束外延砷化镓自组织生长
- MBE生长InGaAs/AlGaAs量子线FET材料
- 本文介绍了采用自组织工艺法制备,InGaAs/GaAs量子线的工艺方法和原理,通过原子力显微镜和低温偏振光致发光表征了量子线的形貌结构和光学性质,研制了InGaAs/AlGaAs FET结构材料,并制作了FET器件.
- 张文俊闫发旺崔立奇
- 关键词：分子束外延生长光学特性
- 文献传递
- 三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极
- 本发明公开了一种三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极，属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为三角形，N型电极的焊盘位于三角形芯片的顶角，N型条形电极自N型焊盘出发沿三角形LED芯片的边缘环绕一周，P型电极的焊盘位于三...
- 孙莉莉闫发旺张会肖王军喜王国宏曾一平李晋闽
- 文献传递
- 采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法
- 本发明公开了一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，该方法采用金属有机化合物气相外延工艺，具体步骤如下：选择一衬底；在该衬底上生长一层非极性GaN薄膜；以及在该非极性GaN薄膜上生长非极性GaN基稀磁半导体材料。利用...
- 孙莉莉闫发旺张会肖王军喜王国宏曾一平李晋闽
- 文献传递
- 半导体量子线场效应管研究现状及趋势被引量：6
- 2000年
- 综述了 - 族化合物半导体量子线场效应管的研究进展情况 ,阐述了量子线结构场效应管的制作工艺原理、制备方法、材料结构及器件的电学性能。指出了当前存在的工艺困难 ,并展望了进一步的发展趋势。
- 闫发旺张文俊张荣桂
