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张会肖

作品数：19 被引量：16H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：教育部留学回国人员科研启动基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信文化科学理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 7篇半导体
  • 6篇光效
  • 6篇光效率
  • 6篇发光
  • 5篇导体
  • 5篇稀磁半导体
  • 5篇晶体
  • 5篇晶体质量
  • 5篇半导体材料
  • 4篇氮化
  • 4篇氮化物
  • 4篇电极
  • 4篇电流
  • 4篇电流分布
  • 4篇芯片
  • 4篇化物
  • 4篇二极管
  • 4篇发光二极管
  • 4篇非极性
  • 4篇GAN基发光...

机构

  • 16篇中国科学院
  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 19篇张会肖
  • 17篇李晋闽
  • 17篇曾一平
  • 17篇闫发旺
  • 17篇王国宏
  • 12篇王军喜
  • 10篇孙莉莉
  • 7篇张扬
  • 5篇高海永
  • 2篇樊中朝
  • 2篇高永海
  • 1篇武喜龙
  • 1篇伊晓燕
  • 1篇张荣桂
  • 1篇杨红伟

传媒

  • 2篇半导体情报
  • 1篇半导体技术

年份

  • 3篇2012
  • 6篇2010
  • 4篇2009
  • 4篇2008
  • 2篇2001
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法
本发明公开了一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，该方法采用离子注入及后退火工艺实现非极性GaN基稀磁半导体材料的制备，包括以下步骤：对GaN基底材料进行离子注入；以及对离子注入后的GaN基底材料进行快速退火处理。...
孙莉莉闫发旺张会肖王军喜王国宏曾一平李晋闽
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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法，包括：在用于氮化物外延生长的衬底上淀积一层二氧化硅或氮化硅膜；在所述二氧化硅或氮化硅膜上蒸镀一层金属薄层；退火热处理，在表面形成均匀分布的...
闫发旺高海永樊中朝李晋闽曾一平王国宏张会肖王军喜张扬
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全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法
本发明涉及LED芯片技术领域，公开了一种全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法。该方法基于传统LED工艺流程，在不增加任何工艺步骤的基础上，通过合理的版图设计，实现LED芯片全侧壁粗化。在不增加任何生产成本的前提下，能...
闫发旺孙莉莉张会肖伊晓燕王军喜王国宏曾一平李晋闽
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氮化镓研制中的退火技术被引量：7
2001年
总结了 Ga N薄膜生长和器件制备中退火技术的应用情况 ,其中涉及退火工艺过程、作用机理以及由此产生的影响。
张会肖武喜龙杨红伟张荣桂
关键词：退火半导体材料氮化镓
三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极
本发明公开了一种三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极，属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为三角形，N型电极的焊盘位于三角形芯片的顶角，N型条形电极自N型焊盘出发沿三角形LED芯片的边缘环绕一周，P型电极的焊盘位于三...
孙莉莉闫发旺张会肖王军喜王国宏曾一平李晋闽
平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极
本发明公开了一种平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极，属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为非矩形的平行四边形，N型焊盘位于平行四边形的一个角上，N型条形电极自N型焊盘出发沿平行四边形边缘环绕一周，P型电极的焊盘...
孙莉莉闫发旺张会肖王军喜王国宏曾一平李晋闽
三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极
本发明公开了一种三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极，属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为三角形，N型电极的焊盘位于三角形芯片的顶角，N型条形电极自N型焊盘出发沿三角形LED芯片的边缘环绕一周，P型电极的焊盘位于三...
孙莉莉闫发旺张会肖王军喜王国宏曾一平李晋闽
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采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法
本发明公开了一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，该方法采用金属有机化合物气相外延工艺，具体步骤如下：选择一衬底；在该衬底上生长一层非极性GaN薄膜；以及在该非极性GaN薄膜上生长非极性GaN基稀磁半导体材料。利用...
孙莉莉闫发旺张会肖王军喜王国宏曾一平李晋闽
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平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极
本发明公开了一种平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极，属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为非矩形的平行四边形，N型焊盘位于平行四边形的一个角上，N型条形电极自N型焊盘出发沿平行四边形边缘环绕一周，P型电极的焊盘...
孙莉莉闫发旺张会肖王军喜王国宏曾一平李晋闽
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非极性a面p型GaN:Mn薄膜的结构、形貌和铁磁性质
采用离子注入和快速退火技术制备了稀磁非极性a面p型GaN:Mn薄膜。通过高分辨X射线衍射、原子力显微镜和超导量子干涉仪等测试手段,对样品的结构、形貌和磁性质进行了分析。测试分析结果表明,在退火过程中生成了对样品的铁磁性质...
孙莉莉闫发旺张会肖王军喜曾一平王国宏李晋闽
关键词：稀磁半导体离子注入室温铁磁性
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共2页<12>
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