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张会肖
作品数:
19
被引量:16
H指数:2
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
教育部留学回国人员科研启动基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
王国宏
中科院半导体研究所半导体照明研...
闫发旺
中科院半导体研究所半导体照明研...
曾一平
中科院半导体研究所半导体照明研...
李晋闽
中科院半导体研究所半导体照明研...
王军喜
中科院半导体研究所半导体照明研...
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作者
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张会肖
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采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法
本发明公开了一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法,该方法采用离子注入及后退火工艺实现非极性GaN基稀磁半导体材料的制备,包括以下步骤:对GaN基底材料进行离子注入;以及对离子注入后的GaN基底材料进行快速退火处理。...
孙莉莉
闫发旺
张会肖
王军喜
王国宏
曾一平
李晋闽
文献传递
用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法
本发明涉及半导体技术领域,公开了一种用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法,包括:在用于氮化物外延生长的衬底上淀积一层二氧化硅或氮化硅膜;在所述二氧化硅或氮化硅膜上蒸镀一层金属薄层;退火热处理,在表面形成均匀分布的...
闫发旺
高海永
樊中朝
李晋闽
曾一平
王国宏
张会肖
王军喜
张扬
文献传递
全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法
本发明涉及LED芯片技术领域,公开了一种全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法。该方法基于传统LED工艺流程,在不增加任何工艺步骤的基础上,通过合理的版图设计,实现LED芯片全侧壁粗化。在不增加任何生产成本的前提下,能...
闫发旺
孙莉莉
张会肖
伊晓燕
王军喜
王国宏
曾一平
李晋闽
文献传递
氮化镓研制中的退火技术
被引量:7
2001年
总结了 Ga N薄膜生长和器件制备中退火技术的应用情况 ,其中涉及退火工艺过程、作用机理以及由此产生的影响。
张会肖
武喜龙
杨红伟
张荣桂
关键词:
退火
半导体材料
氮化镓
三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极
本发明公开了一种三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极,属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为三角形,N型电极的焊盘位于三角形芯片的顶角,N型条形电极自N型焊盘出发沿三角形LED芯片的边缘环绕一周,P型电极的焊盘位于三...
孙莉莉
闫发旺
张会肖
王军喜
王国宏
曾一平
李晋闽
平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极
本发明公开了一种平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极,属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为非矩形的平行四边形,N型焊盘位于平行四边形的一个角上,N型条形电极自N型焊盘出发沿平行四边形边缘环绕一周,P型电极的焊盘...
孙莉莉
闫发旺
张会肖
王军喜
王国宏
曾一平
李晋闽
三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极
本发明公开了一种三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极,属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为三角形,N型电极的焊盘位于三角形芯片的顶角,N型条形电极自N型焊盘出发沿三角形LED芯片的边缘环绕一周,P型电极的焊盘位于三...
孙莉莉
闫发旺
张会肖
王军喜
王国宏
曾一平
李晋闽
文献传递
采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法
本发明公开了一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法,该方法采用金属有机化合物气相外延工艺,具体步骤如下:选择一衬底;在该衬底上生长一层非极性GaN薄膜;以及在该非极性GaN薄膜上生长非极性GaN基稀磁半导体材料。利用...
孙莉莉
闫发旺
张会肖
王军喜
王国宏
曾一平
李晋闽
文献传递
平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极
本发明公开了一种平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极,属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为非矩形的平行四边形,N型焊盘位于平行四边形的一个角上,N型条形电极自N型焊盘出发沿平行四边形边缘环绕一周,P型电极的焊盘...
孙莉莉
闫发旺
张会肖
王军喜
王国宏
曾一平
李晋闽
文献传递
非极性a面p型GaN:Mn薄膜的结构、形貌和铁磁性质
采用离子注入和快速退火技术制备了稀磁非极性a面p型GaN:Mn薄膜。通过高分辨X射线衍射、原子力显微镜和超导量子干涉仪等测试手段,对样品的结构、形貌和磁性质进行了分析。测试分析结果表明,在退火过程中生成了对样品的铁磁性质...
孙莉莉
闫发旺
张会肖
王军喜
曾一平
王国宏
李晋闽
关键词:
稀磁半导体
离子注入
室温铁磁性
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