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章军云

作品数：28 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

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地区

  • 16个江苏省
共 16 条 记 录，以下是 1-10
高建峰
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 高电子迁移率晶体管 掺杂 介质
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴少兵
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：金属 空气桥 微波毫米波 挖槽 阳极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林罡
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：化合物半导体器件 半导体器件 砷化镓 高电子迁移率晶体管 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王溯源
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：套刻 扫描式 测试套 干法刻蚀 光刻机
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
潘斌
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：衬底 超声清洗 超大功率 操作工艺 参照系
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
康耀辉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：成品率 T形栅 寄生参数 介质 小尺寸
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马飞
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：侧蚀 半导体表面 赝配高电子迁移率晶体管 栅介质 栅结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛舫时
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：HFET 电流崩塌 GAN 势垒 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱赤
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：各向异性刻蚀 赝配高电子迁移率晶体管 频率特性 砷化镓 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄念宁
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：超薄 ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 背面金属化 半导体 耗尽型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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