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徐大伟

作品数：76 被引量：43H指数：4
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
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程新红
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 功率器件 栅结构 击穿电压 石墨烯
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
俞跃辉
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 离子注入 石墨烯 功率器件 金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王中健
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 石墨烯 介质薄膜 离子注入 漂移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏超
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 介质薄膜 金属 离子注入 漂移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋朝瑞
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI材料 SOI 介质薄膜 SOI_LDMOS 高介电常数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何大伟
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI ESD保护器件 高介电常数 高压功率器件 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李新昌
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：基准电压 IGBT 栅极 温度系数 过流保护
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹铎
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：石墨烯 介质薄膜 漂移 掩膜版 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贾婷婷
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：介质薄膜 漂移 掩膜版 沟道 空位
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张有为
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：石墨烯 氧化物薄膜 金属氧化物薄膜 金属 介质薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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