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一种高压模拟集成开关电路: 本发明提供一种高压模拟集成开关电路，包括并联的第一、第二模拟子开关，所述第一模拟子开关包括第一n型DMOS管、第二n型DMOS管及第一驱动电路，所述第一n型DMOS管的源极连接第二n型DMOS管的源极，漏极连接电路输入端...; 李新昌程新红吴忠昊张萌徐大伟羊志强俞跃辉; 文献传递

0.13 μm CMOS Stacked-FET两级功率放大器设计被引量：2: 2016年; 基于TSMC 0.13μm CMOS工艺设计了一款适用于无线传感网络、工作频率为300~400 MHz的两级功率放大器。功率放大器驱动级采用共源共栅结构,输出级采用了3-stack FET结构,采用线性化技术改进传统偏置电路,提高了功率放大器线性度。电源电压为3.6 V,芯片面积为0.31 mm×0.35 mm。利用Cadence Spectre RF软件工具对所设计的功率放大器电路进行仿真,结果表明,工作频率为350 MHz时,功率放大器的饱和输出功率为24.2 d Bm,最大功率附加效率为52.5%,小信号增益达到38.15 d B。在300~400 MHz频带内功率放大器的饱和输出功率大于23.9 d Bm,1 d B压缩点输出功率大于22.9 d Bm,最大功率附加效率大于47%,小信号增益大于37 d B,增益平坦度小于±0.7 d B。; 王坤程新红王林军徐大伟张专李新昌; 关键词：CMOS 功率放大器线性化无线传感网络

用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路: 本发明提供一种用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路，其中该IGBT栅极驱动芯片包括低压侧窄脉冲产生模块、LDMOS电平移位模块和输出驱动模块，且该输出驱动模块的输出端通过一栅极电阻与一待驱动...; 徐大伟朱弘月董业民李新昌徐超; 文献传递

一种基准电压温度系数修调方法、装置及终端: 本发明公开了一种基准电压温度系数修调方法、装置及终端，所述的方法包括：获取第一修调电阻的第一码值和第二修调电阻的第二码值；获取第一码值的温度特性曲线的斜率、第二码值的温度特性曲线的斜率以及第一码值和第二码值之间数值的差值...; 徐大伟程新红徐超李新昌; 文献传递

基于功率器件寄生电感的电流检测系统及电流检测方法: 本发明提供一种电流检测系统，包括一功率器件，其功率发射极和辅助发射极之间连接有低通滤波器，低通滤波器包括滤波器电容和滤波器电阻；采样信号调节电路，与低通滤波器的电容输出端相连；信号整形电路，连接于功率发射极和辅助发射极之...; 徐大伟朱弘月程新红李新昌; 文献传递

基于IGBT栅极米勒平台的新型电流过载检测技术被引量：7: 2018年; 通过对基于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）栅极米勒平台的新型电流过载检测技术的研究,首先从理论上分析了感性负载功率转换电路中IGBT栅极米勒平台的形成机理,给出理想条件下米勒平台电压V（GE,MP）与集电极电流IC的关系;其次设计了IGBT栅极米勒平台电压测量系统实现对VGE,MP的精确测量,并对VGE,MP与IC的关系进行了实验验证。最后,根据IC与VGE,MP的正相关关系,设计了应用于IGBT功率转换器的电流过载检测电路。当IC高于IGBT功率转换器额定电流时,VGE,MP高于额定电流对应的IGBT的米勒平台电压,本电路通过实时监测IGBT米勒平台电压实现电流过载检测。分别利用仿真和实验的手段对该新型电流过载检测技术的可行性和可靠性进行了验证。实验结果表明,IGBT集电极电流IC在2.8～50 A的范围内,检测系统稳定有效,最大检测误差为±0.85 A。; 李新昌徐大伟徐大伟程新红程新红; 关键词：绝缘栅双极型晶体管功率转换器

基于GaN HEMT同步整流Buck变换器研究被引量：5: 2017年; 分析了基于氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)同步整流Buck变换器的各部分损耗,并推导出主要损耗的计算公式。针对GaN同步整流管的反向导通特性,分析了死区时间形成过程,设计死区时间调节电路。设计制作基于GaN HEMT和Si MOSFET 10~20V输入、5 V输出、6A最大负载电流及1 MHz开关频率的变换器样机。测试结果表明,在18 V输入时GaN变换器的最高效率为93.9%,比Si变换器约高3%;GaN变换器最优死区时间为5 ns,变换器效率随着死区时间增加而下降。; 羊志强徐大伟李新昌程新红; 关键词：变换器高电子迁移率晶体管死区时间

带有修调的分段曲率补偿带隙基准电路被引量：3: 2020年; 为得到高精度低温度系数、高电源抑制比的基准电压,同时为了降低工艺中非理想性因素的影响,设计了一种新的带有修调的分段曲率补偿基准电路.通过利用电阻分压和工作在亚阈值区域的MOSFET的电学特性,产生正温度系数和负温度系数的电流,在高温段和低温段分别对带隙基准电压进行曲率补偿,提出了一种新的快速优化基准电压温度系数的芯片级修调方法,包含温度系数修调和电压幅值修调,可以快速获得最低温度系数对应码值以提升工作效率.基于0.35μm BCD工艺,流片验证了该修调方案的可行性.结果表明:在-40℃~125℃内,基准电压最低仿真温度系数为0.84×10^-6/℃,最低实测温度系数为5.33×10^-6/℃,随机抽样结果显示温度系数的平均值为7.47×10^-6/℃;采用基于计算斜率的修调方法,测试10块芯片的平均修调次数为3.5次,与使用逐次逼近的修调方法相比,效率提升59.8%;低温度系数的带隙基准电压有利于提升电池管理芯片对电池剩余电量估算的准确性,该带隙基准电路已成功应用于电池管理芯片内高精度模数转换器中.; 徐超吴灯鹏李新昌徐大伟徐大伟程新红; 关键词：温度系数

一种高压模拟集成开关电路: 本发明提供一种高压模拟集成开关电路，包括并联的第一、第二模拟子开关，所述第一模拟子开关包括第一n型DMOS管、第二n型DMOS管及第一驱动电路，所述第一n型DMOS管的源极连接第二n型DMOS管的源极，漏极连接电路输入端...; 李新昌程新红吴忠昊张萌徐大伟羊志强俞跃辉; 文献传递

用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路: 本发明提供一种用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路，其中该IGBT栅极驱动芯片包括低压侧窄脉冲产生模块、LDMOS电平移位模块和输出驱动模块，且该输出驱动模块的输出端通过一栅极电阻与一待驱动...; 徐大伟朱弘月董业民李新昌徐超

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李新昌