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周建军

作品数：82 被引量：56H指数：4
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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孔月婵
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：金刚石 衬底 二维电子气 氮化镓晶体管 键合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑有炓
供职机构：南京大学
研究主题：GAN 氮化镓 衬底 蓝宝石 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 GAN 砷化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张荣
供职机构：南京大学
研究主题：GAN 氮化镓 蓝宝石 氢化物气相外延 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董逊
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 势垒 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
江若琏
供职机构：南京大学电子科学与工程学院固体微结构物理国家重点实验室
研究主题：蓝宝石 氮化镓 衬底 MOCVD ALGAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩平
供职机构：南京大学
研究主题：蓝宝石 氢化物气相外延 化学气相淀积 生长温度 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢自力
供职机构：南京大学
研究主题：蓝宝石 GAN 氢化物气相外延 生长温度 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔岑
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SI基 MMIC ALGAN/GAN_HEMT ALGAN 过渡层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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