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陈小娟

作品数：3 被引量：4H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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合作作者

领域

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机构

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资助

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传媒

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地区

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共 11 条 记 录，以下是 1-10
姚小江
供职机构：中国电子科技集团第十四研究所
研究主题：混合集成电路 兰格耦合器 宽带功率放大器 平衡放大器 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘丹
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ALGAN/GAN HEMT ALGAN/GAN_HEMTS ALGAN/GAN_HEMT HEMTS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘果果
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 电流崩塌 DOHERTY功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李诚瞻
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司
研究主题：外延层 碳化硅 欧姆接触 ALGAN/GAN_HEMT ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏珂
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 势垒层 欧姆接触 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈延湖
供职机构：山东大学
研究主题：INGAP/GAAS_HBT HBT 小信号 MMIC INGAP/GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗卫军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 HEMT 金属 GAN ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘键
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 ALGAN/GAN_HEMT ALGAN/GAN 氮化碳薄膜 氮化碳
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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