李诚瞻
- 作品数：88 被引量：31H指数：3
- 供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 肖特基势垒二极管及其制造方法
- 本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有的肖特基势垒二极管的开启电压较高的技术问题。该肖特基势垒二极管，包括：N型碳化硅衬底；位于所述N型碳化硅衬底上的低掺杂N型外延层；位于所述低掺杂...
- 李诚瞻刘可安吴煜东杨勇雄史晶晶蒋华平唐龙谷赵艳黎吴佳
- 文献传递
- 一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法
- 一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法，该结构包括好的元件和坏的元件，所述好的元件和坏的元件在铜盖和铜底之间采用压接式封装；所述铜盖与好的元件的金属接触层阳极之间通过第一钼片扣合，所述铜底与好的元件阴极之...
- 李诚瞻吴煜东刘可安周正东史晶晶杨勇雄吴佳蒋华平赵艳黎
- 单极型SiC功率器件的最优漂移区解析模型
- 2015年
- 基于目前碳化硅（SiC）外延掺杂浓度误差较大以及成本和缺陷密度对外延厚度敏感的情况,以比导通电阻为目标优化指标,建立了适用于单极型SiC功率器件的最优漂移区解析模型,得到了最优控制线,并采用Synopsys/Sentaurus软件进行了仿真验证。在此基础上进一步考虑了外延层厚度和掺杂浓度的影响,并针对常用电压等级的单极型SiC功率器件计算了典型误差值下的最优漂移区参数。计算结果表明,对于不同耐压等级,最优漂移区大致以电压等级每增加100 V厚度则增加1-1.2μm的速度变化。
- 蒋华平李诚瞻吴煜东
- 关键词：SIC功率器件比导通电阻解析模型漂移区
- 基于AlGaN/GaN HEMT的C波段功率放大器混合集成电路的设计被引量：2
- 2007年
- 我们设计研制了一个基于Al GaN/GaN HEMT大功率放大器的混合集成电路.这个电路包含了1个10×120μm的HEMT晶体管,以及输入和输出匹配电路.在偏置条件为Vds=40 V,Ids=0.26 A时,输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到37 dBm(5 W),最大的PAE为35.6%.在偏置条件为Vds=30 V,Ids=0.22 A时输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到36.4dBm(4.4 W),最大的PAE为42.7%.
- 姚小江李宾陈延湖陈小娟魏珂李诚瞻刘丹刘果果刘新宇王晓亮罗卫军
- 关键词：微波功率放大器ALGAN/GANHEMT
- 一种碳化硅功率器件结终端结构及其制造方法
- 本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端结构及其制造方法。该碳化硅功率器件结终端结构包括多个场限环，其通过掺杂间隔设置于外延层上；掺杂区，其设置于所述外延层的上方；其中，所述掺杂区是在所述外延层上通过再次外延得到。本发明的结终...
- 杨勇雄吴煜东何多昌蒋华平李诚瞻赵艳黎吴佳唐龙谷
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- 一种氮化镓基场效应管及其制作方法
- 本发明公开了一种GaN基场效应管，该GaN基场效应管包括：栅极，位于栅极两侧的源极和漏极；其中，栅极、源极和漏极位于衬底材料顶层AlGaN外延层上，源极与AlGaN外延层以及漏极与AlGaN外延层之间通过退火合金形成欧姆...
- 刘新宇刘果果郑英奎李诚瞻刘键
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- 一种碳化硅功率器件结终端的制造方法
- 本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端的制造方法。该碳化硅功率器件结终端的制造方法包括以下步骤：步骤1：在外延层上形成牺牲层；步骤2：在牺牲层上制作掩膜，以形成场限环的注入窗口；步骤3：刻蚀牺牲层的未被掩膜覆盖的部分；步骤4...
- 蒋华平刘可安吴煜东李诚瞻赵艳黎吴佳唐龙谷
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- 半导体器件耐压终端结构及其应用于SiC器件的制造方法
- 本发明公开了一种半导体器件耐压终端结构及其应用于SiC器件的制造方法，耐压终端结构包括：第一掺杂区，以及掺杂浓度相对于第一掺杂区较轻的第二掺杂区。半导体器件耐压终端结构的刻蚀剖面采用连续光滑曲面的台面结构，刻蚀剖面从第一...
- 吴佳吴煜东刘可安李诚瞻史晶晶蒋华平唐龙谷赵艳黎杨勇雄
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- 一种碳化硅PiN器件的欧姆接触方法
- 本发明属于PiN器件领域，尤其涉及一种碳化硅PiN器件的欧姆接触方法，该方法包括以下步骤：a)准备碳化硅PiN基体；b)在碳化硅PiN基体的P型SiC外延层表面沉积非晶硅层；c)分别在沉积有非晶硅层的碳化硅PiN基体的S...
- 史晶晶李诚瞻吴佳杨程刘国友刘可安
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- 一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法
- 本发明涉及一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法，属于SiC MOSFET器件领域。所述方法包括在SiC外延层上热生长SiO<Sub>2</Sub>栅氧化层，然后在500～1000℃，优选700～800℃下，包含Cl...
- 李诚瞻刘可安赵艳黎周正东吴佳杨勇雄丁荣军
- 文献传递
