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翁长羽

作品数：8 被引量：1H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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合作作者

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地区

  • 12个江苏省
共 12 条 记 录，以下是 1-10
许正荣
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS_MMIC PIN二极管 单片 开关
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈新宇
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 开关 GAAS_MMIC 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘桂友
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS_MMIC 高线性 单刀双掷开关 大功率开关 大功率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李拂晓
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邵凯
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 射频开关 微波功率器件 GAAS_PHEMT 前置放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱峰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：功率放大器 砷化镓 HBT MMIC GAAS_PHEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
应海涛
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：功率放大器 GAAS_HBT 插入损耗 LTCC 反射损耗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
晋虎
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：VDMOS 功率器件 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 元胞
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦世龙
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：光接收机前端 眼图 PHEMT 单片集成 分布放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
铁宏安
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：半导体 金属氧化物 低噪声放大器 噪声系数 赝配高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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